Комплексний інформаційно-бібліографічний сервіс Національної бібілотеки України імені В. І. Вернадського

Простий пошук

Розширений пошук

Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка

Тематичний інтернет-навігатор

Наукова електронна бібліотека

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Сортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання

Формат представлення знайдених документів:
повний	стислий

Пошуковий запит: (<.>A=Korotyeyev V$<.>)

Загальна кількість знайдених документів : 9
Представлено документи з 1 до 9

Категорія:

Syngayivska G. I.
Monte Carlo simulation of hot electron effects in compensated GaN semiconductor at moderate electric fields / G. I. Syngayivska, V. V. Korotyeyev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 4. - С. 54-59. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2в641.0

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Korotyeyev V. V.
Comparison of electron transport in polar materials for the models of low-density and high-density electron gas. Application to bulk GaN / V. V. Korotyeyev, G. I. Syngayivska, V. A. Kochelap, A. A. Klimov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2009. - 12, № 4. - С. 328-338. - Бібліогр.: 21 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В279.271 в641.0

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Korotyeyev V. V.
Peculiarities of THz-electromagnetic wave transmission through the GaN films under conditions of cyclotron and optical phonon transit-time resonances / V. V. Korotyeyev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2013. - 16, № 1. - С. 18-26Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.

The theory of THz radiation transmission through the film of compensated GaN of cubic modification under action of electric and magnetic fields has been developed. In the THz frequency range, spectra of the dynamic mobility tensor have been obtained for applied steady-state electric fields of several kV/cm and magnetic fields of several T. The spectra of transmission, reflection and loss coefficients have been analyzed for the Voigt configuration used for the applied fields. It has been shown that the transmitted wave becomes elliptically polarized, and the spectra of polarization characteristics such as ellipticity and rotation angle of the large axis of polarization ellipse were investigated under conditions of cyclotron resonance and optical phonon transit-time one. It has been found that, in certain frequency bands, polarization characteristics have the features valid for both resonances. The new optical method based on the analysis of ellipticity and rotation angle spectra is offered for determination of the low-field mobility.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В381.121.05

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Пучки частинок від прискорювачів < Циклотрони >

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Korotyeyev V. V.
Theory of high-field electron transport in the heterostructures Alsubx/subGasub1-x/subAs/GaAs/Alsubx/subGasub1-x/subAs with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer / V. V. Korotyeyev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 1. - С. 1-11. - Бібліогр.: 31 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13 + В379.27

Рубрики:
Квантова теорія
Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Syngayivska G. I.
Electron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN / G. I. Syngayivska, V. V. Korotyeyev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 1. - С. 79-85. - Бібліогр.: 28 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27

Рубрики:
Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Korotyeyev V. V.
Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization / V. V. Korotyeyev, V. O. Kochelap, S. V. Sapon, B. M. Romaniuk, V. P. Melnik, O. V. Dubikovskyi, T. M. Sabov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2018. - 21, № 3. - С. 294-306. - Бібліогр.: 33 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852

Рубрики:
Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Syngayivska G. I.
Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields / G. I. Syngayivska, V. V. Korotyeyev, V. A. Kochelap // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2018. - 21, № 4. - С. 325-335. - Бібліогр.: 42 назв. - англ.

Категорія:

Korotyeyev V. V.
Interaction of sub-terahertz radiation with low-doped grating-based AlGaN/GaN plasmonic structures. Time-domain spectroscopy measurements and electrodynamic modeling / V. V. Korotyeyev, Yu. M. Lyaschuk, V. A. Kochelap, L. Varani, D. Coquillat, S. Danylyuk, S. Brose, S. A. Vitusevich // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2019. - 22, № 2. - С. 237-251. - Бібліогр.: 43 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.35

Рубрики:
Плазмові коливання

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія: Енергетика. Радіоелектроніка

Lyaschuk Yu. M.
Peculiarities of amplitude and phase spectra of semiconductor structures in THz frequency range = Особливості амплітудних та фазових спектрів напівпровідникових структур у ТГц діапазоні частот / Yu. M. Lyaschuk, V. V. Korotyeyev, V. A. Kochelap // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2022. - 25, № 2. - С. 121-136. - Бібліогр.: 49 назв. - англ.

Розглянуто головні особливості амплітудних і фазових спектрів пропускання/відбивання декількох модельних напівпровідникових структур, у тому числі діелектричну підкладку, тонкий провідний шар, розміщений між двома діелектричними середовищами, тонкий провідний шар, розміщений на діелектричній підкладці, і гібридну плазмонну структуру з тонким провідним каналом під металевою граткою. Аналіз було здійснено з використанням аналітичних виразів, одержаних у результаті розв'язків рівнянь Максвелла при нормальному падінні плоскої електромагнітної хвилі. Показано, що специфічна поведінка амплітудних та фазових спектрів у ТГц діапазоні може бути використана для визначення базових параметрів 2D-електронного газу, включаючи концентрацію вільних електронів та їх рухливість, у межах експериментальних методик ТГц спектроскопії з розділенням у часі. Авторами запропоновано ефективний фазовий модулятор ТГц випромінювання з електричним контролем робочих параметрів, що грунтується на ефекті 2D-плазмонного резонансу в гібридних плазмонних структурах зі просторово-модульованим профілем концентрації у тонкому провідному шарі.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ