Методом поляризованої фотолюмінесценції досліджені надгратки GaAs/AlAs з коругованими гетеромережами. Співставляючи експериментальні результати з теоретичними розрахунками на основі моделі, яка пов'язує ступінь лінійної поляризації екситонної фотолюмінесценції з параметрами коругованостей, визначені висота та латеральна протяжність коругованостей.

Досліджено вплив обробки поверхні на електричні та люмінесцентні властивості напівізолюючих монокристалів CdTe:Cl, вирощених із газової фази. Показано, що травлення зразків CdTe:Cl у 2 %-вому бром-метаноловому травнику призводить до зміни дефектної структури їх приповерхневої області (ППО), що проявляється в значному зменшенні питомого опору та розмитті екситонних смуг (ЕС) фотолюмінесценції (ФЛ). Обробка протравлених зразків у газовому розряді водню дозволяє частково відновити якість ППО. У цьому випадку відновлюється вихідне значення електропровідності зразків CdTe:Cl і зменшується розмиття ЕС ФЛ.

Описано спосіб вирощування монокристалів CdTe з газової фази (ГФ) шляхом сублімації у вакуумі з використанням вертикальної конфігурації ростової системи. Досліджено спектри низькотемпературної фотолюмінесценції (ФЛ) номінально нелегованих і легованих хлором монокристалів, одержаних за допомогою цього методу, та проведено їх порівняння зі спектрами ФЛ відповідного матеріалу, одержаного за допомогою методу Бріджмена. Встановлено, що вирощені із ГФ кристали містять більшу кількість неконтрольованих домішок, проте мають достатньо високу структурну досконалість, про що свідчить наявність у спектрах ФЛ чітко виражених ліній вільних екситонів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В372.314.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Екситони. Екситонні рівні

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.31 + З851.122.2

Рубрики:

Германій, кремній та їхні сполуки

Діоди та кенотрони. Випрямні лампи

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

An original iterative procedure has been developed to obtain the energy spectrum of neutral and charged excitons (positive and negative trions) in spherical semiconductor quantum dots (QD) imbedded into a dielectric material. Numerical calculations are made using the effective mass approximation and Hartree-Fock method. A combined effect of heterointerface polarization (image force potential) and finite band-off-sets on the energy spectrum of excitons and trions in QDs is considered for the first time. It is shown that binding energies of excitons and trions in such QDs can be substantially larger than those in bulk semiconductors due to spatial and "dielectric" confinement effects.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

An analysis of physical mechanisms responsible for the influence of stabilizer type and ambient material on CdTe nanocrystal growth rate and passivation effectiveness of surface dangling bonds has been carried out. The possibility to change properties of nanocrystals by changing the stabilizer type has been shown.

The physico-chemical properties of low-dimensional structures based on CdTe obtained in the course of colloidal synthesis have been investigated. Analyzed have been the main photoluminescence characteristics of CdTe nanocrystals, which are stabilized by thioglycolic acid and obtained using the deionized water and aqueous solutions of ethylene glycol and glycerol with different concentrations as dispersion environment. It has been shown that stability of colloidal solutions of CdTe nanocrystals depends on the nature of dispersion environment and concentration of stabilizer.

Досліджено спектри низькотемпературної фотолюмінесценції асиметричних надграток GaAs/AlAs за високих рівнів накачки. Показано, що надгратки GaAs/AlAs з 6/3, 8/4 та 10/5 моношарами - прямозонні. Це припущення підтверджується теоретичними обчисленнями, проведеними в наближенні огинаючих функцій. Отримано стимульоване випромінювання світла в 6/3 GaAs/AlAs, котре також підтверджує прямозонний характер щілини.

Vibrational density of states of 12,5 % cobalt doped bulk hexagonal ZnO has been studied using the density functional theory method. It has been shown that introduction of cobalt into ZnO leads to appearance of additional vibrational modes with their frequencies dependent on the relative positions of cobalt atoms. The magnetic and vibrational properties have been studied in highly Co-doped ZnO samples that are characterized by a high possibility of metal clusters formation.

Performed in this work are the researches of the influence of microwave irradiation (2,45 GHz, 24 GHz) on spectra of low-temperature (T = 2 K) photoluminescence (PL) in single crystals CdTe:Cl. Transformation of impurity-defect centers in CdTe:Cl responsible for PL within the spectral range 1,3 to 1,5 eV under microwave irradiation was analyzed. The parameter of electron-phonon interaction (Huang-Rhys factor) for the donor-acceptor PL band, which depends on the time of microwave irradiation, has been calculated.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.211 + В372.26 + Л719.4

Рубрики:

Консолідовані наноструктури <Тіла тверді >

Плівки

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + В379.2

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено поверхневі й оптичні властивості низькорозмірних структур на основі CdTe, одержаного за допомогою методів розмолу (40 - 150 нм, мікрокристали) та колоїдного синтезу (1 - 4 нм, нанокристали). Показано, що найбільш інтенсивно адсорбція стабілізаторів на поверхні МК CdTe відбувається з розчинників, які краще змочують поверхню частинок кадмій телуриду. Встановлено, що стабілізацію частинок на основі CdTe у високодисперсних і нанорозмірних системах краще всього здійснювати за використання метилового і етилового спиртів як дисперсійного середовища. Наведено основні фотолюмінесцентні характеристики стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe, одержаних за використання як дисперсійного середовища деіонізованої води, метилового й етилового спиртів різної концентрації.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.211 + В379.24

Рубрики:

Консолідовані наноструктури <Тіла тверді >

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + В379.26

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ