The structural and optical properties CdS films, which received by the liquid-phase chemical deposition method, are investigated. The analysis of surface film has conducted by scanning electron microscopy method. The structural parameters are determined by the X-Ray difractogram method, which the definition of dispersion cogerent areas and microdeformations were defined by analytical processing X-Ray difractogram. The X-ray electron-probe microanalysis has fulfilled. The mathematical processing of CdS layers transmittion specters are carried out. The structural and optical properties investigated CdS films are defined by the thickness and annealing modes CdS layer.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В378.26 + К232.102

Рубрики:

Тонкі шари металів

Кристалічна будова важких кольорових металів і сплавів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г122.415-2 + В372.6

Рубрики:

Сполуки цинку з іншими елементами. Солі цинку

Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Дослідження методами хроновольтамперометрії та хронопотенціометрії кінетики окремого та сумісного катодного електроосадження цинку і селену з сульфатних розчинів свідчить, що електрохімічний процес осадження цинку є необоротним та обмеженим дифузією. Виявлена під час досліджень електрохімічного механізму відсутність каталітичного впливу Se на Zn дозволяє пояснити обрані за допомогою експерименту електродні потенціали, за яких можуть бути осаджені плівки ZnSe, що використовуються як буферні прошарки в фотоелектричних перетворювачах.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4 + З854.22

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г122.415-1

Рубрики:

Сполуки цинку з іншими елементами. Солі цинку

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.054-18 + Г122.415

Рубрики:

Електрохімічні покриття металів. Гальванотехніка

Сполуки цинку з іншими елементами. Солі цинку

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою вольтамперометричних досліджень процесів окремого та сумісного електроосадження кадмію і сірки з водних хлоридних розчинів забезпечено вибір оптимальних режимів виготовлення близьких до стехіометричних шарів сульфіду кадмію (CdS). Оптичний аналіз виявив, що електроосаджені плівки були прозорими, характеризувалися прямими дозволеними оптичними переходами та шириною забороненої зони, типовими для сульфіду кадмію. Результати рентген-дифрактометричного аналізу показали, що одержані плівки складалися переважно з нанокристалів CdS гексагональної модифікації.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж671

Рубрики:

Обробка поверхні

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою методів хроно- та циклічної вольтамперометрії досліджено механізми електрохімічних процесів в електроліті для одержання напівпровідникових плівок телуриду кадмію та у відповідних йому парціальних розчинах, які вміщують іони кадмію і телуру. Виявлено відмінності у катодних процесах на хімічно інертних підкладках з нітриду титану та на каталітично активній поверхні молібдену. На підставі досліджень пояснено природу домішок, які виявлено за допомогою методу рентгенівської фотоелектронної спектроскопії на поверхні та в об'ємі плівок телуриду кадмію, електроосаджених на підкладки з нітриду титану і молібдену, що дозволило вибрати параметри процесу електроосадження та матеріалу підкладок, які забезпечують виготовлення плівок стехіометричного складу.

У процесі дослідження електроосаджених плівок диселеніду міді та індію за допомогою методів рентгенівської дисперсійної спектроскопії, анодного травлення, растрової електронної мікроскопії, а також вимірюванням електроопору цих плівок вибрано оптимальні параметри електролізу у режимі прямокутних імпульсів потенціалу, які дозволили одержати плівки близького до стехіометричного складу.

Досліджено склад, морфологію поверхні, оптичні та структурні властивості шарів кадмій сульфіду (CdS), виготовлених за допомогою методу рідинно-фазного хімічного осадження. Завдяки механізму осадження іон-за-іоном плівки, одержані у режимі вібрації підкладки в безпечному для деградації сонячного елемента на основі CdS/CdTe сульфатному розчині (співвідношення у розчині тіосечовини та солі кадмію S/Cd = 2,7), були рівними і добре зчепленими з підкладками. У хлоридному розчині (S/Cd = 1,3) шари CdS осаджувалися за кластерним механізмом і тому відзначалися розвиненим мікрорельєфом і поганою адгезією до підкладки. Плівки мали притаманні кадмій-сульфіду оптичні властивості, складалися переважно з CdS модифікації вюрцит, середній розмір кристалітів становив близько 50 нм.

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.05

Рубрики:

Електричне покриття металів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.05-18 + В372.6

Рубрики:

Електричне покриття металів

Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено дані про економічно ефективний альтернативний метод синтезу оксиду цинку для сенсибілізованих натуральними барвниками сонячних елементів (DSSC). Масиви ZnO виготовлено у триелектродній комірці за допомогою методу електрохімічного осадження на вкритих прозорим електропровідним легованим фтором діоксидом олова скляних підкладках як у потенціостатичному режимі, так і в імпульсних режимах з прямокутними імпульсами катодних потенціалів. Після цього шари ZnO сенсибілізовано барвником із щойно виготовленого чорносмородинового соку. Дослідження структури з використанням методу рентгенівської дифрактометрії, морфології поверхні за допомогою атомного силового мікроскопа та оптичних властивостей за допомогою спектрофотометричного методу продемонстрували перспективність електрохімічно осаджених у прямокутно-імпульсному режимі масивів ZnO для створення DSSC на натуральних барвниках.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ