Ключ. слова: власний акцептор, енергiя iонiзацiї, термiчна обробка.
Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22 + В379.274

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж29221 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: МДП-структуры, HgCdTe, вольт-фарадные характеристики, варизонные слои.
Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22 + З843.6

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Діелектрики

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены особенности конструирования германиевых лавинных и нелавинных пороговых фотодиодов для комплектации тестеров оптического излучения волоконно-оптических линий систем связи. Показано, что применение эпитаксиальных структур и термоэлектрического охлаждения позволяет в 2 - 3 раза увеличить токовую монохроматическую чувствительность лавинных фотодиодов и на порядок понизить темновой ток обычных германиевых фотодиодов.

Features of designing germanium avalanche and not avalanche threshold photodiodes for a complete set of testers of optical radiation of optical fiber lines of systems of connection are considered. It is shown, that application epytacsial structures and thermoelectric cooling allows in 2-3 times to increase monochromatic sensitivity of avalanche photodiodes and it is essential to lower a return current usual germanium photodiodes.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведен сравнительный анализ химических свойств лузги риса, выращиваемого в Украине и в некоторых других странах. Предложена схема получения кремния "солнечного" класса из рисовой лузги для производства фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), включающая следующие этапы: отмывка лузги, пиролитическое разложение органических соединений, выщелачивание, пиролиз для получения диоксида кремния, изготовление электродов состава SiO2-C (или металл), электродуговое восстановление кремния, очистка кристаллизацией.

The comparative analysis of chemical properties of rice peel, growing in Ukraine and in some foreign countries is carried out. The circuit of reception of silicon of a "solar class" from rice peel for manufacture of photo-electric converters (PEC), including the following stages is offered: washing, burning of organic compounds, using alkali, burning for SiO2 reception, manufacturing of "SiO2-C (or metal)" electrodes, restoration in electric arc, clearing of silicon by crystallization. Precomputations of manufacture volume of silicon from rice peel in Ukraine show that it can make up to 700-1000 tons per year. This volume can supply manufacturing of photo-electric modules with capacity up to 100 МWatt per year.

Изложен физический механизм внутреннего усиления фототока в p-n-переходе с длинной базой, на боковой поверхности которой создан полевой МДП-электрод. Установлено, что совместное действие нескольких механизмов усиления увеличивает чувствительность инжекционного фотодиода.

The physical mechanism of inside amplification at the p-n-junction with long base, on the lateral surface of which the field-effect MOS-contact was made, was considered. The joint action of several mechanisms of amplification the sensitivity of injection photodiodes is increase.

Проанализированы электрические и фотоэлектрические свойства выпрямляющих структур различного типа (поверхностно-барьерные диоды, p-n-гомопереходы и гетеропереходы) на базе моноселенидов галлия и индия. Обсуждены влияние параметров базовых материалов на основные технические характеристики и параметры диодов, а также возможные пути их улучшения.

The forming mechanisms of dark and light properties straightening structures with different type based on the indium and gallium monoselenides were considered.

Ключ. слова: фотопреобразователь, монокристаллы Si, конструкция, технология, параметры
Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225-01

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: фотоэлектрические преобразователи, p-i-n структура, КПД
Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225-01

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: двухбарьерная структура, примесная фоточувствительность, туннельно-инжекционный, генерационно-инжекционный, показатель степени
Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены проблемы, возникающие при определении эффективной площади фоточувствительного элемента (ФЧЭ) фотодиодов по стандартизованной методике. Приведена методика с улучшенными метрологическими характеристиками, основанная на сравнении площадей ФЧЭ специальной диафрагмы.

Problems arising when determining effective area of the photodiodes' responsive elements according to a standardized procedure are investigated. A procedure of improved metrological characteristics based upon comparison of effective areas of responsive elements and a special diaphragm is presented.

Змодельовано імпульсний фотопомножувач на основі лавинної pn-i-pn структури з внутрішнім (лавинно-каскадним) посиленням. Розраховано коефіцієнт посилення, швидкодія і шум лавинного множення. Показано, що фотопомножувачі на основі цих структур мають високий коефіцієнт посилення, низький поріг чутливості за струмом і надійніші в роботі в порівнянні з лавинними фотодіодами.

Смоделировано усиление импульса в фотоумножителе на основе pn-i-pn структуры с внутренним (лавинно-каскадным) усилением. Рассчитаны коэффициент усиления, быстродействие и шум лавинного умножения. Показано, что рассматриваемые фотоумножители имеют высокий коэффициент усиления, низкий порог чувствительности по току и более надежны в работе по сравнению с лавинными фотодиодами.

An impulsive photomultiplier is designed on the basis of avalanches pn-i-pn structures with the internal (avalanche-cascade) amplification. An amplification coefficient, fast-acting and noise of avalanche multiplication are expected. It is shown that photomultipliers on the basis of pn-i-pn structures have a high amplification coefficient, low threshold of sensitiveness on a current and more reliable in work as compared to avalanches photodiodes.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На основе экспериментальных данных вольт-амперной характеристики по зависимости сопротивления от напряжения в двухбарьерных m-рGaAs-nGdS- и модернизированных m-рGaAs-рGaAs-nGdS-структурах проведен расчет перераспределения напряжения между прямо- и обратносмещаемыми переходами. Полученные данные могут быть использованы для оценки частотного диапазона, зависимости фоточувствительности от поля, выявления механизмов фоточувствительности двухбарьерных структур с металлополупроводниковыми переходами.

On dependence of resistance on a voltage the account of redistribution of a voltage between directly and back by movable transitions is carried out on the basis of experimental data voltampere of the characteristic two-barrier m-рGaAs-nGdS- and modernized m-рGaAs-рGaAs-nGdS-structures. The received data could be used for a rating frequency of a range, dependence of photosensitivity on a field, to reveal mechanisms of photosensitivity of two-barrier structures with metal-semiconductor by transitions.

Проведен сравнительный анализ преимуществ и недостатков технологий изготовления схем считывания с инфракрасных ИК-фотодиодов - технологии комплементарных МОП-схем и технологии приборов с зарядовой связью на базе n-канальных МОП-структур. Приведены параметры экспериментальных образцов интегральных схем считывания (ИCC) форматом 264, изготовленных по этим технологиям, демонстрирующие возможность изготовления ИСС, работающих при криогенных температурах.

The problems of technology of semiconductor manufacturing of integrated readout circuits for infrared detectors are discussed. The comparative analysis of advantages and lacks of different technologies of manufacturing is given: technologies of CMOS devices and technologies of Charge-Coupled Devices (CCD). The parameters of readout circuits for infrared detectors, made on these technologies are resulted.

Разработана математическая модель ВАХ оптоэлектронной пары "фотодиоды-ДМОП-транзистор", которая позволяет установить взаимосвязь ее электрических параметров с конструктивными и электрофизическими параметрами фотодиодов и ДМОП-транзисторов. Предложена конструкция интегрального оптоэлектронного коммутатора на ДМОП-транзисторах на структурах "кремний с диэлектрической изоляцией". При этом возможно оптическое управление исполнительными устройствами, включенными как в истоковую, так и в стоковую цепь ключевого транзистора.

The characteristics of optoelectronic couples photodiodes-DMOS-transistor are studied in the paper. There was developed a mathematical model of volt-ampere characteristic of the given optoelectronic couple which allows to determine interrelation of its electric parameters with constructive and electrophysical parameters of photodiodes and DMOS-transistors. There was suggested a construction of integral optoelectronic switch, based on DMOS-transistors on the silicon with dielectric insulation structures (SDIS). Possible is the optic control of executive devices, connected both to the source and drain circuits of the switching transistor.

Разработан и исследован двухкоординатный фотодиод на продольном фотоэффекте, позволяющий получать с большой точностью симметричные по крутизне и продольному сопротивлению координатные характеристики. Показано, что наилучший вид координатной характеристики наблюдается в случае сканирования оптическим зондом по центральной части фоточувствительного элемента. Рассмотрены пути улучшения параметров фотодиода.

The two-coordinate photodiode is developed and explored on the longitudinal photoeffect, which allows to get the coordinate descriptions symmetric on the steepness and longitudinal resistance great exactness. It was shown, that the best type of the coordinate description is observed in the case of scanning by the optical probe on the central part of the photosensitive element. The ways of improvement of steepness and linear of its coordinate description were analyzed.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ