Методом чисельного моделювання за формулами динамічної теорії розсіювання випромінювань реальними кристалами та за допомогою розв'язку рівнянь Такагі- Топена вивчені основні закономірності брег-дифракції рентгенівських променів в умовах сильного та слабкого поглинання. Встановлені механізми формування профілів просторового розподілу інтенсивності дифрагованих пучків в залежності від енергії випромінювання та структурної досконалості кристалів. Запропоновані формули для аналітичного опису профілів розподілу інтенсивностей, які враховують динамічні поправки (коефіцієнти екстинкції) для когерентної і некогерентної складових дифрагованої інтенсивності.

Запропоновано безеталонний метод вимірювання інтегральної відбивної здатності (ІВЗ) реальних (які містять дефекти структури) монокристалів, а також інтегрального параметра структурної досконалості - статичного фактора Дебая-Валлера, що може бути застосований до широкого діапазону довжин хвиль рентгенівського випромінювання (РВ). Досліджено бездислокаційні монокристали кремнію, вирощені за методом Чохральського, що характеризувались різним рівнем структурної недосконалості. Метод виявився особливо чутливим до дефектів кристалічної гратки в разі використання жорсткого рентгенівського випромінювання з довжиною хвилі меншою за 0,3 ангстрем. Застосування запропонованого методу на довжинах хвиль РВ 0,2 ангстрем дозволило більш як на порядок підвищити чутливість ІВЗ до структурних недосконалостей. Одержані експериментальні значення ІВЗ добре узгоджуються з передбаченнями динамічної теорії розсіяння рентгенівських променів на кристалах з однорідно розподіленими дефектами. Переваги запропонованого методу стають найбільш виразними в разі застосування синхротронних джерел рентгенівського випромінювання.

Ключ. слова: quasi-forbidden reflection, Friedel intensity ratio, resonant frequences, reflectivity
Індекс рубрикатора НБУВ: К233.502

Рубрики:

Кристалічна будова лужних металів та їх сплавів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою методу високороздільної рентгенівської дифрактометрії досліджено розсіяння рентгенівських променів у короткоперіодних надгратках (НГ) GaAs/AlAs. З використанням підгонки теоретичних кривих дифракційного відбиття до експериментальних одержано як параметри дифракції, так і структурні параметри НГ (товщини субшарів, рівень деформації в шарах). Установлено, що, незважаючи на значні величини деформацій у шарах НГ, їх когерентність і структурна досконалість є досить високою.

Методом аналізу енергетичних залежностей інтегральної відбивної здатності в області довжин хвиль рентгенівських променів, розташованих між К-краями поглинання компонент GaAs, для квазізабороненого рефлексу (200) досліджено ступінь відхилення від стехіометрії, а також параметри мікродефектів у плівках GaAs:Si/GaAs, вирощених методом рідиннофазної епітаксії.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22 + В379.24

Рубрики:

Структура напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Using the technique of diffuse x-ray scattering at the "tails" of diffraction reflection curves, we analyze the effect of irradiation of dislocation GaAs crystals with high-energy neutrons on evolution of radiation clusters as a function of fluence and doping level. The effect of doping level on size of the above defects is shown to be considerable at low fluences. We advance a model for disordered regions in an irradiated crystal based on the results of x-ray experiments.

Методами рентгеноструктурного аналізу й оптичної мікроскопії вивчено кінетику рекристалізаційних процесів у плівках CdS, одержаних методом трафаретного друку. Встановлено взаємозв'язок розміру й орієнтації кристалітів плівки з рівнем механічних напруг та їх залежність від температурних режимів обробки. Показано, що за оптимальних технологічних параметрів можна одержувати однофазні плівки CdS завтовшки кілька десятків мікрон з великим розміром зерен і низькими залишковими напругами, придатні для використання в сонячних елементах на основі гетеропереходу CdS/CdTe.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51

Рубрики:

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.15

Рубрики:

Електричні явища при контакті твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлен краткий обзор основных принципов, используемых при получении аналитических выражений для когерентной и диффузной интенсивностей рассеяния, измеряемых трехкристальным дифрактометром (ТКД). Получены точные аналитические выражения для диффузных компонент как ТКД-профилей, так и карт обратного пространства, измеренных в геометрии дифракции по Брэггу для кристаллов, содержащих микродефекты нескольких типов. Эти формулы получены при использовании обобщенной динамической теории рассеяния рентгеновских лучей неидеальными кристаллами со случайно распределенными микродефектами. Представлены некоторые примеры, демонстрирующие возможности разработанной теории для количественной характеризации несовершенств структуры в реальных монокристаллах. В частности, путем аналитической обработки измеренных ТКД-профилей, кривых отражения и карт обратного пространства определены характеристики сложных структур микродефектов, созданных в кристаллах кремния с помощью методов Чохральского и зонной плавки.