Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Журнали та продовжувані видання (1) |
Пошуковий запит: (<.>A=Indutnyy I$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 10 Представлено документи з 1 до 10 |
||||
| 1. | Indutnyy I. Z. Kinetics of thermally-induced structural phase transformations and formation of silicon nanoparticles in thin SiOVIxD films / I. Z. Indutnyy, V. S. Lysenko, I. Yu. Maidanchuk, V. I. Min'ko, A. N. Nazarov, A. S. Tkachenko, P. E. Shepelyavyi, V. A. Dan'ko // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2006. - 4, вип. 1. - С. 145-155. - Библиогр.: 21 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Park C. W. Metal-dielectric black matrix for display devices / C. W. Park, J. B. Lee, Y. R. Do, P. O. Shepeliavyi, K. Michailovs`ka, I. Indutnyy, O. Kudryavtsev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 496-499. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Evtukh A. A. Electron field emission from $E bold {{roman SiO} sub x} films / A. A. Evtukh, I. Z. Indutnyy, I. P. Lisovskyy, Yu. M. Litvin, V. G. Litovchenko, P. M. Lytvyn, D. O. Mazunov, Yu. V. Rassamakin, P. E. Shepeliavyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 1. - С. 32-36. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Indutnyy I. Z. Optical study of thermally induced phase separation in evaporated SiOVIxD films / I. Z. Indutnyy, I. P. Lisovskyy, D. O. Mazunov, P. E. Shepeliavyi, G. Yu. Rudko, V. A. Dan'ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 2. - С. 161-167. - Бібліогр.: 33 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Min'ko V. I. Recording of high efficiency diffraction gratings by He-Ne laser / V. I. Min'ko, P. E. Shepeliavyi, V. A. Dan'ko, P. F. Romanenko, O. S. Litvin, I. Z. Indutnyy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 1. - С. 88-92. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Rudko G. Yu. Paramagnetic defects related to photoluminescence in SiOVIxD films / G. Yu. Rudko, I. P. Vorona, I. Z. Indutnyy, S. S. Ishchenko, P. E. Shepeliavyi, V. O. Yukhymchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 4. - С. 400-403. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Indutnyy I. Z. Effect of chemical and radiofrequency plasma treatment on photoluminescence of SiOVIxD films / I. Z. Indutnyy, V. S. Lysenko, I. Yu. Maidanchuk, V. I. Min'ko, A. N. Nazarov, A. S. Tkachenko, P. E. Shepeliavyi, V. A. Dan'ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 1. - С. 9-13. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Min'ko V. I. Fabrication of silicon grating structures using interference lithography and chalcogenide inorganic photoresist / V. I. Min'ko, P. E. Shepeliavyi, I. Z. Indutnyy, O. S. Litvin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 1. - С. 40-44. - Бібліогр.: 16 назв. - англ. Application of inorganic photoresist based on chalcogenide films for fabrication of submicrometer periodic relief on silicon wafers was investigated. For this purpose, technological process of resistive two-layer chalcogenide-Cr mask formation on a silicon surface was developed, and silicon anisotropic etching was optimized, too. This technology has been used for the fabrication of high-quality diffraction gratings on Si (100) surface with symmetric triangular and trapezium grooves and two-dimentional periodic structures. Relief parameters and diffraction properties of the obtained structures and their dependences on etching time were determined. Індекс рубрикатора НБУВ: З852 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Lisovskyy I. P. Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOVBIxD porous nanocomposite films / I. P. Lisovskyy, V. G. Litovchenko, S. O. Zlobin, M. V. Voitovych, I. M. Khatsevich, I. Z. Indutnyy, P. E. Shepeliavyi, O. F. Kolomys // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 1. - С. 127-129. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Min'ko V. I. Recording of rainbow holograms using Assub2/subSesub3/sub amorphous layers / V. I. Min'ko, I. Z. Indutnyy, P. F. Romanenko, A. A. Kudryavtsev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 251-253. - Бібліогр.: 3 назв. - англ. Розвинуто простий метод запису рельєфно-фазової райдужної голограми-оригіналу. На обох стадіях запису (одержання звичайної пропускаючої голограми та наступного запису рельєфно-фазової голограми-оригіналу, яка зчитується в білому світлі) використано один халькогенідний неорганічной фоторезист з тією ж одностадійною післяекспозиційною обробкою. Це спрощує і здешевлює процес виготовлення голограми-оригіналу. Індекс рубрикатора НБУВ: В343.43 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського