Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Журнали та продовжувані видання (1) |
Пошуковий запит: (<.>A=Druzhinin A$<.>) | |||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 39 Представлено документи з 1 до 20 |
|||||
| |||||
| 1. | Druzhinin A. A. Silicon microcrystals with high piezoresistance at cryogenic temperatures for sensors application = Мікрокристали кремнію з високим п'єзоопором при кріогенних температурах для застосування в сенсорах / A. A. Druzhinin, I. I. Maryamova, O. P. Kutrakov, I. V. Pavlovsky // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2004. - № 1. - С. 69-77. - Библиогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 2. | Druzhinin A. A. Influence of dispersion of polysilicon on low-temperature conductivity in SOI-structures = Вплив дисперсії полікремнію на низькотемпературну провідність в КНІ-структурах / A. A. Druzhinin, I. T. Kogut, Yu. M. Khoverko, R. M. Koretskii // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - 12, № 3. - С. 753-756. - Библиогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 3. | Druzhinin A. A. Investigation of Ga-In contacts to Si, Ge and SiGe wires for sensor application = Дослідження Ga-In в контакті з Si, Ge і SiGe дротами для сенсорної техніки / A. A. Druzhinin, Yu. M. Khoverko, I. P. Ostrovskii, S. I. Nichkalo, A. A. Nikolaeva, L. A. Konopko, I. Stich // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - 13, № 1. - С. 269-272. - Библиогр.: 11 назв. - англ. Опір і магнітоопір Si, Ge і Si-Ge мікро- та нанодротів досліджено в температурному діапазоні 4,2 - 300 K у магнітних полях до 14 Тл. Діаметри дротів від 200 нм до 20 мкм. Ga-In шлюзи створено для дротів і досліджено омічні характеристики I - U на всьому температурному діапазоні. Встановлено, високі пружні деформації для нанодротів Ge (близько 0,7 %), а також високий магнітоопір (близько 250 % за 14 Тл), що використано для розробки багатофункціональних датчиків одночасного вимірювання напруги та напруженості магнітного поля. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.2 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 4. | Dolgolenko A. P. Seebeck's effect in IBpD-SiGe whisker samples / A. P. Dolgolenko, A. A. Druzhinin, A. Ya. Karpenko, S. I. Nichkalo, I. P. Ostrovsky, P. G. Litovchenko, A. P. Litovchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 4. - С. 456-460. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 5. | Druzhinin A. A. Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures / A. A. Druzhinin, I. I. Maryamova, I. V. Pavlovskyy, T. Palewski // Functional Materials. - 2004. - 11, № 2. - С. 268-272. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 6. | Druzhinin A. A. Peculiarities of Si - Ge whisker growing by CTR method / A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. M. Khoverko, Ya. V. Gij // Functional Materials. - 2005. - 12, № 4. - С. 738-741. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 7. | Druzhinin A. A. Magnetoresistance and magnetic susceptibility of doped Si - Ge whiskers / A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. R. Kogut, J. K. Warchulska // Functional Materials. - 2007. - 14, № 4. - С. 480-484. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 8. | Druzhinin A. A. Strain induced effects in IBpD-type silicon whiskers at low temperatures / A. A. Druzhinin, I. I. Maryamova, O. P. Kutrakov, N. S. Liakh-Kaguy, T. Palewski // Functional Materials. - 2012. - 19, № 3. - С. 325-329. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 9. | Druzhinin A. A. Low temperature characteristics of germanium whiskers / A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. N. Khoverko, N. S. Liakh-Kaguy, A. M. Vuytsyk // Functional Materials. - 2014. - 21, № 2. - С. 130-136. - Бібліогр.: 20 назв. - англ. Досліджено магнітофононні осциляції магнітоопору в сильнолегованих ниткоподібних кристалах (НК) Ge n-типу провідності з концентрацією домішки, що відповідає переходу метал - діелектрик, в інтервалі температур 4,2 - 70 K у неперервних та імпульсних магнітних полях з індукцією 14 і 35 Тл відповідно. Вивчено вплив одновісної деформації стиску та розтягу на магнітофононні осциляції поперечного та поздовжнього магнітоопору, визначено міждолинні переходи, оцінено енергії фононів та ефективні маси важких і легких електронів в НК n-Ge. Запропоновано НК германію для створення на їх основі низькотемпературних сенсорів деформації-температури, працездатних у сильних магнітних полях. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.271.21 + З843.3 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 10. | Druzhinin A. A. Impedance of Si wires at metal-insulator transition / A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. N. Khoverko, R. N. Koretskyy, S. I. Nichkalo // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - 15, № 1. - С. 81-84. - Бібліогр.: 8 назв. - англ. Impedance spectroscopy for Si wires with dopant concentrations near the metal-insulator transition in the low temperature range 4,2 - 70 K and frequencies 0,01 - 250 kHz has been conducted. The studies allow us to obtain parameters of hopping conduction (localization radius, density of localized states and average length of carrier jumping) and compare them with theoretical data. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.247 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 11. | Druzhinin A. A. Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers = Особливості перенесення носіїв заряду в субмікронних ниткоподібних кристалах Si-Ge / A. A. Druzhinin, A. P. Dolgolenko, I. P. Ostrovskii, Yu. N. Khoverko, S. I. Nichkalo, Iu. R. Kogut // Functional Materials. - 2015. - 22, № 1. - С. 27-33. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 12. | Druzhinin A. Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, N. Liakh-Kaguy // Физика низ. температур. - 2016. - 42, № 6. - С. 581-586. - Бібліогр.: 25 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 13. | Druzhinin A. A. GaSb whiskers in sensor electronics = Ниткоподібні кристали GaSb для сенсорної електроніки / A. A. Druzhinin, I. I. Maryamova, O. P. Kutrakov // Functional Materials. - 2016. - 23, № 2. - С. 206-211. - Бібліогр.: 16 назв. - англ. П'єзорезистивні властивості ниткоподібних кристалів антимоніду галію, вирощених з газової фази за методом хімічних транспортних реакцій, досліджено у діапазоні температур -150 - +100 °C. Показано можливість створення різних піезорезистивних сенсорів механічних величин на основі цих мікрокристалів. Створено тензорезистори з високою чутливістю для роботи у широкому діапазоні температур на основі ниткоподібних кристалів GaSb n- і p-типів. Розроблено датчики гідростатичного тиску до 5000 бар на основі ниткоподібних кристалів GaSb n-типу з високою чутливістю, що надає змогу одержати вихідний сигнал до 700 мВ (без підсилення) за цього тиску. Індекс рубрикатора НБУВ: З85-03 + В371.212 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 14. | Druzhinin A. A. The electron scattering on local potential of crystal defects in GaSb whiskers / A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. N. Khoverko, I. I. Khytruk // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 4. - С. 04084-1-04084-4. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 15. | Druzhinin A. Thermoelectric properties of oblique SiGe whiskers / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, N. Liakh-Kaguy, Iu. Kogut // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2016. - 8, № 2. - С. 02030-1-02030-5. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 16. | Druzhinin A. A. Charge carrier transport of polysilicon in SOI-structures at low temperatures / A. A. Druzhinin, I. T. Kogut, Yu. N. Khoverko, A. N. Vuitsyk // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - 14, № 3. - С. 662-666. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 17. | Druzhinin A. A. Thermoelectric properties of SiGe whiskers = Термоелектричні властивості ниткоподібних кристалів SiGe / A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, N. S. Liakh-Kaguy // Information and Telecommunication Sciences. - 2016. - 7, № 2. - С. 20-27. - Бібліогр.: 31 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж100651 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 18. | Druzhinin A. Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, N. Liakh-Kaguy // Физика низ. температур. - 2017. - 43, № 6. - С. 871-878. - Бібліогр.: 34 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 19. | Liakh-Kaguy N. S. Magnetoresistance of BiVB2DSeVB3D whiskers at low temperatures = Магнітоопір ниткоподібних кристалів BiV2DSeV3D за низьких температур / N. S. Liakh-Kaguy, A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. N. Khoverko // Фізика і хімія твердого тіла. - 2017. - 18, № 2. - С. 194-197. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 20. | Druzhinin A. A. Superconductivity and Kondo effect of Pdsubx/subBisub2/subSesub3/sub whiskers at low temperatures / A. A. Druzhinin, N. S. Liakh-Kaguy, I. P. Ostrovskii, Yu. M. Khoverko, K. Rogacki // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2017. - 9, № 5. - С. 05013-1-05013-5. - Бібліогр.: 32 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| |||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського