Разработан и изготовлен виртуальный измерительный комплекс параметров оптронов, в котором часть функций и операций осуществляется не аппаратно, а программно с помощью персонального компьютера. При этом компьютер выполняет функции, связанные с взаимодействием пользователя и измерительной системы. Описанный вариант комплекса позволяет определять (с выдачей соответствующего сертификата качества) статические и дифференциальные параметры различного типа оптронов (с погрешностью не более 1 ), а также динамические переходные параметры (с погрешностью не более 5 ). Комплекс многофункциональный и модульно-программно перестраиваемый.

Розглянуто історію розвитку електроніки, зокрема, напівпровідникового матеріалознавства в Україні. Проаналізовано причини критичного стану виробництва та споживання напівпровідникових матеріалів і електронних виробів в Україні; розглянуто основні аспекти розвитку напівпровідникової галузі в країні. Висвітлено сучасний рівень і тенденції розвитку виробництва напівпровідникових монокристалічних матеріалів та епітаксійних структур у світі.

Індекс рубрикатора НБУВ: З861

Рубрики:

Оптоелектроніка

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98

Рубрики:

Фотолюмінесценція. Електролюмінесценція

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852-08с

Рубрики:

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто методи підготовки, аналізу, а також структурно-кристалографічні, морфологічні, оптичні, механічні, хімічні властивості підкладок, що використовуються для епітаксійного росту плівок GaN. Наведено матеріали експериментального дослідження та грунтовного аналізу підкладок на основі поруватих сполук GaAs. Описано основні властивості шарів GaN, одержаних такими технологічними методами, як гідридно-хлоридна газотранспортна епітаксія (HVPE), молекулярно-променева епітаксія (MBE), газотропна епітаксія з металево-органічних сполук (MOCVD). Розглянуто новий метод одержання тонких плівок GaN - радикально-променеву гетерувальну епітаксію (RBGE).

Рассмотрены методы подготовки, анализа, а также структурно-кристаллографические, морфологические, оптические, механические, химические свойства подкладок, использующихся для эпитаксионного роста пленок GaN. Приведены материалы экспериментального исследования и подробного анализа подкладок на основе пористых соединений GaAs. Описаны свойства слоев GaN, полученных такими технологическими методами, как гидридно-хлоридная газотранспортная эпитаксия (HVPE), молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE), газотропная эпитаксия из металло-органических соединений (MOCVD). Рассмотрен новый метод получения тонких пленок GaN - радикально-лучевая гетерирующая эпитаксия (RBGE).

Предложены методика анализа и оптимизации структурных схем стоимости и быстродействия дискретно-аналоговых устройств для преобразования информации и оптического вывода данных. Оптимизация структурных схем обеспечивает уменьшение стоимости и повышение быстродействия рассматриваемых устройств по сравнению с изготовленными по традиционной методике.

Одержано неокиснені шари пористого арсеніду галію. На підставі експериментальних вимірювань спектрів фотолюміненсценції та зображень поперечного сколу та зовнішньої поверхні пористих шарів показано, що чинником, який дає внесок у розширення спектральної смуги і, одночасно, її короткохвильовий зсув, є квантово-розмірні ефекти. Оцінено розміри квантових ниток.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.4

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведена оценка влияния совокупности всех выявленных неинформативных и дестабилизирующих факторов на выходной сигнал в измерителях плотности энергии оптического излучения. Показано, что совокупность таких факторов, действующих в разных сочетаниях с измеряемым сигналом, является основной причиной снижения точности измерений. Предложены методы повышения точности контроля информативного параметра за счет ввода дополнительных каналов коррекции. Проведена численная оценка вклада составляющих случайной и систематической погрешностей в общую погрешность измерения. Определена доверительная граница погрешности результатов измерений пространственного и временного распределения плотности энергии оптического излучения при учете этих составляющих.

Указаны особенности построения и использования информационных моделей для устройств дискретно-аналогового отображения информации. Показана возможность статической реализации позиционного дискретно-аналогового представления информации при линейной и матричной организации электрических связей элементов индикатора. Получены операторы, описывающие статическую позиционную информационную модель, которая реализуется на дискретно-аналоговом индикаторе с линейным и матричным электрическим соединением элементов. Определено, что позиционная форма отображения информации наиболее эффективно может быть использована в индикаторных системах с отсчетным устройством на основе светодиодов.

Розглянуто стан розвитку одного з найперспективніших напрямів опто- та наноелектроніки, а саме: технологічні та конструкторські аспекти нітридів третьої (Ga, In, Al) групи. Значну увагу приділено аналізу відомих технологічних методів одержання об'ємних монокристалів, епітаксійних шарів, гетеро- та квантово-розмірних структур на основі нітридів третьої групи, а також розгляду нових технологічних методів покращання характеристик тонких епітаксійних шарів. Наведено результати сучасних розробок комерційних приладів оптоелектроніки та високочастотної електроніки на основі матеріалів типу GaN: світлодіодів, лазерів і фотоприймачів, а також транзисторів, що експлуатуються за екстремальних умов. Описано переваги таких приладів нового покоління в порівнянні з відомими. Надано оцінку сьогоднішнього рівня та перспектив технологічних аспектів виробництва матеріалів типу GaN і конструкторських розробок приладів опто- та мікроелектроніки на основі нітридів третьої групи.

Рассмотрены особенности динамического формирования аддитивного дискретно-аналогового представления информации на электрооптическом преобразователе с двухкоординатным матричным электрическим соединением элементов. Предложена и аналитически обоснована информационная модель с минимальным (равным 2) числом тактов их возбуждения.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22 + В379.24 + З843.3

Рубрики:

Структура напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Предложена физико-математическая адсорбционно-десорбционно-кристаллизационная модель роста тонких пленок GaN на подложках GaAs при обработке их в активных радикалах азота. Проанализированы термодинамика, кинетика и два физико-химических механизма роста тонких пленок GaN на поверхности монокристаллических подложек GaAs. Первый квазиэпитаксиальный механизм роста осуществляется, когда родикалы азота, адсорбированные на поверхности GaAs, вытягивают из его объема атомы Ga и на поверхности базового кристалла вырастают новые слои GaN, второй - когда активные радикалы азота, адсорбированные на поверхности GaAs, диффундируют в объем подложки и эпитаксиальная пленка GaN растет по диффузионному механизму.

Наведено експериментальні дослідження тонких плівок GaN, одержаних шляхом обробки монокристалічних підкладок GaAs в активних радикалах азоту. Виконано вимірювання профілограм розподілу миш'яку та азоту за товщиною гетероструктури GaN/GaAs. Проведено аналітико-числове моделювання процесів росту тонких плівок GaN на підкладках GaAs та профілів розподілу атомів основних хімічних елементів, що входять до складу епітаксійної плівки GaN та монокристалічної підкладки GaAs. На основі аналітичних і числових розрахунків проаналізовано та уточнено фізико-математичні моделі росту тонких плівок GaN при обробці монокристалічних підкладок GaAs в активних радикалах азоту.

Рассмотрены особенности синтеза изображения на шкальном индикаторе и построение аппаратных средств, решающих задачу синтеза. Предложено оптимизировать такие технические решения по критерию минимума обобщенной стоимости изменением числа шин в матрице элементов индикатора. Определено, что минимизированное дискретно-аналоговое устройство отображения информации строится на основе шкалы, которая электрически выполнена в виде матрицы с соотношением сторон, обратно пропорциональным отношению обобщенной стоимости схем управления одной шиной этих сторон.

Індекс рубрикатора НБУВ: Р569.423-52 + Р569.452-52

Рубрики:

Пухлини легенів

Пухлини щитоподібної залози

Шифр НБУВ: Ж14579 Пошук видання у каталогах НБУВ