Викладено основи анатомії та фізіології людини. Описано регенеративні властивості різних тканин, опорно-руховий апарат, серцево-судинну, лімфатичну, травну, сечову, статеву, нервову системи, функції крові, дихання, шкіри. Проаналізовано загальні закономірності розвитку, росту і функціонування організму. Наведено методику визначення та оцінку температури тіла, пульсу, артеріального тиску, дихання. Висвітлено основні напрями медикаментозної терапії. Розкрито основи епідеміології, викладено загальні відомості про імунітет, СНІД, кишкові, дитячі інфекції, а також дихальних шляхів, зовнішніх покривів та особливо небезпечні інфекції.

Изложены основы анатомии и физиологии человека. Описаны регенеративные свойства разных тканей, опорно-двигательный аппарат, сердечно-сосудистая, лимфатическая, пищеварительная, мочевая, половая, нервная системы, функции крови, дыхания, кожи. Проанализированы общие закономерности развития, роста и функционирования организма. Приведены методика определения и оценка температуры тела, пульса, артериального давления, дыхания. Освещены основные направления медикаментозной терапии. Раскрыты основы эпидемиологии, изложены общие сведения об иммунитете, СПИДе, кишечных, детских инфекциях, а также дыхательных путей, внешних покровах и особенно опасных инфекциях.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + В379.226

Рубрики:

Одержання плівок

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Виготовлені гетероструктури n-TiN/n-Si за допомогою методу реактивного магнетронного розпилення. Виміряно вольтамперні характеристики гетероструктури за різних температур. Досліджено механізми струмопереносу через гетеропереходи n-TiN/n-Si.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розроблено гетероструктури на основі тонких плівок TiN та досліджено домінуючі механізми струмопереносу, бар'єрних параметрів та фотоелектричних властивостей з метою встановлення можливості їх використання у приладах електроніки і фотовольтаїки. На основі тонких плівок нітриду титану виготовлено ряд нових та недосліджених раніше напівпровідникових гетеропереходів. Зазначено, що комплексний аналіз електричних і фотоелектричних властивостей виготовлених гетеропереходів свідчить про перспективність їх використання для виготовлення напівпровідникових приладів електроніки, оптоелектроніки і фотовольтаїки.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлены результаты исследований магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4}. Методом магнетронного осаждения тонких пленок TiN, TiO{\dn\fs8 2} и МоО{\dn\fs8 х} на подложки из кристаллов Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4} изготовлены анизотипные гетеропереходы n-TiN/p-Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4}, n-TiO{\dn\fs8 2}/p-Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4} и n-MoO/p-Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4}. Исследованы их электрические свойства и установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямом и обратном смещениях.

Представлено результати досліджень магнітних, кінетичних і оптичних властивостей кристалів Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4}. Методом магнетронного напилення тонких плівок TiN, TiO{\dn\fs8 2} та МоО{\dn\fs8 х} на підкладки з кристалів Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4} виготовлено анізотипні гетеропереходи n-TiN/p-Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4}, n-TiO{\dn\fs8 2}/p-Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4} і n-MoO/p-Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4}. Досліджено їх електричні властивості і встановлено домінуючі механізми струмопереносу за прямих і зворотних зміщень.

The paper reports on the results of the studies of magnetic, kinetic and optical properties of Cu2ZnSnTe4 crystals. The Cu2ZnSnTe4 crystals showed diamagnetic properties (the magnetic susceptibility almost independent of the magnetic field and temperature). The Cu2ZnSnTe4 crystals possessed p-type of conductivity and the Hall coefficient was independent on temperature. The temperature dependence of the electrical conductivity ? of the Cu2ZnSnTe4 crystal shows metallic character, i. e. decreases with the increase of temperature, that is caused by the lower charge carrier mobility at higher temperature. Thermoelectric power of the samples ispositive that also indicates on the prevalence of p-type conductivity. Heterojunctions n-TiN/p-Cu2ZnSnTe4, n-TiO2/p-Cu2ZnSnTe4 and n-MoO/p-Cu2ZnSnTe4 were fabricated by the reactive magnetron sputtering of TiN, TiO2 and МоОх thin films, respectively, onto the substrates made of the Cu2ZnSnTe4 crystals. The dominating current transport mechanisms in the n-TiN/p-Cu2ZnSnTe4 and n-TiO2/p-Cu2ZnSnTe4 heterojunctions were established to be the tunnel-recombination mechanism at forward bias and tunneling at reverse bias.

Виготовлено гетероструктури p-NiO/n-Si за допомогою методу реактивного магнетронного напилення тонких плівок оксиду нікелю на підкладки з кристалів n-Si. Показано вплив обробки підкладок Si на електричні властивості гетероструктур. Досліджено їх темпові вольтамперні характеристики за кімнатної температури. Встановлено, що основними механізмами струмопереносу за прямому зміщення є багатоступінчатий тунельний механізм струмопереносу за участю поверхневих станів на межі поділу p-NiO/n-Si і тунелювання, за зворотних зміщень - тунелювання та емісія Френкеля - Пула.

Виготовлено гетероструктури p-NiO/n-SiC за допомогою методу реактивного магнетронного напилення тонких плівок оксиду нікелю на підкладки з кристалів n-SiC. Досліджено їх темнові вольтамперні характеристики в широкому діапазоні температур. Встановлено, що основними механізмами струмопереносу за прямого зміщення є генераційно-рекомбінаційний і тунелювання. За зворотних зміщень основним механізмом струмопереносу є тунелювання через потенціальний бар'єр за участю енергетичного рівня з глибиною залягання 0,17 еВ.

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.03 + В379.271 + В379.271.4

Рубрики:

Металізація (гарячі способи покриття металів)

Електричні властивості

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.6-18 + В379.2 + В379.271

Рубрики:

Інші види покриттів металів

Фізика напівпровідників

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377

Рубрики:

Електричні та магнітні властивості твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395 + З85-03

Рубрики:

Тонкі плівки

Електроніка

Шифр НБУВ: ВА823592 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Увагу приділено розробці раніше не досліджених, перспективних гетеропереходів для застосування в електроніці та фотовольтаїці на основі прозорих і провідних напівпровідникових тонких плівок нітриду титану. Розглянуто фізичні (оптичні й електричні) властивості таких плівок, описано можливості їх практичного застосування. Досліджено електричні, фотоелектричні та ємнісні властивості гетеропереходів на основі одержаних плівок із метою визначення домінуючих механізмів струмопереносу під час прямого та зворотного зміщень.

Розглянуто фізичні процеси контактних явищ у напівпровідниках, гетеропереходах, контактах метал - напівпровідник. Проаналізовано фізичні принципи роботи, властивості та характеристики напівпровідникових діодів, біполярних і польових транзисторів, тиристорів, а також оптоелектронних, термоелектричних і гальваномагнітних приладів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374

Рубрики:

Оптичні властивості твердих тіл. Оптичні властивості кристалів (кристалооптика)

Шифр НБУВ: Ж43925 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27 + В379.4

Рубрики:

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж43925 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено теоретичні основи технологій для отримання тонких плівок різного складу та призначення. Описано конструктивні особливості устаткування для вакуумних систем і пристроїв для напилення тонких плівок. Описано умови росту тонких плівок та процес зародкоутворення плівок. Наведено принципи роботи тонкоплівкових приладів різного призначення.