Із використанням програмного середовища Lab VIEW розглянуто принципи побудови програмних засобів систем контролю та керування, застосування елементів побудови інтерфейсів операторів, використання функцій обробки даних, відображення даних у графічному вигляді. Розкрито засади побудови віртуальних приладів (ВП). Висвітлено особливості розробки ВП дослідження роботи кола постійного струму. Проаналізовано особливості покращання призначеного для користувача інтерфейсу ВП "Exersice2".

С учетом программной среды Lab VIEW рассмотрены принципы построения программных средств систем контроля и управления, применения элементов построения интерфейсов операторов, использования функций обработки данных, отображения данных в графическом виде. Раскрыты основы построения виртуальных устройств (ВУ). Освещены особенности разработки ВУ исследования работы цепи постоянного тока. Проанализированы особенности улучшения предназначенного для пользователя интерфейса ВУ "Exersice 2".

Рассмотрены методы улучшения качества видеоизображения при определении диаметра монокристалла кремния телевизионным способом в процессе роста. Применение этих методов позволяет повысить точность измерения диаметра слитка в процессе роста, что приводит к рациональному использованию сырья.

Розглянуто розв'язок та алгоритми розпізнавання образів фігур, застосовані до визначення типу структурних недосконалостей монокристала кремнію. Докладно описано спосіб апроксимації контурів фігур, який найбільше задовольняє вимоги поставленої задачі. Розглянуто способи кодування візуальних даних: статистичний метод кодування, кодування серій, кодування з передбаченням, векторне кодування, позиційні способи представлення зображень - дерево квадрантів та у вигляді піраміди.

Розглянуто автоматизацію керування процесом вирощування монокристалів кремнію за допомогою методу Чохральського, а також розв'язок поставленої задачі та обгрунтування вибраного рішення. Наведено структурну схему системи керування швидкістю обертання та піднімання затравки і тигля. Представлено стислий опис роботи фізичної моделі ростової установки для дослідження систем керування процесом вирощування кристалів. Представлена фізична модель ростової установки дає можливість проводити дослідження з вирощування кристалів із низькотемпературних розплавів і дозволить досліджувати системи керування ростовими установками. Модель може знайти застосування в ході проведення науково-дослідницької роботи, спрямованої на розробку систем керування ростовими установками та в учбовому процессі для засвоєння студентами принципів побудови систем керування.

Досліджено та визначено параметри процесу шліфовки кремнієвих структур і причини виникнення структурних порушень поверхневого шару. Науково обгрунтовано основні елементи та концепцію застосування системи автоматичного керування станком САШ-420М, що забезпечує оптимальний режим шліфовки кремнієвих структур.

Зазначено, що зміна теплових умов вирощування (ТУВ) монокристалів кремнію під час переходу на діаметр вирощуваних монокристалів 200 і 300 мм призводить до появи свірлевих дефектів (СД). Однією з причин утворення цих дефектів є фонові домішки, зокрема кисень. Розглянуто питання побудови математичної моделі, що пов'язує ТУВ з утворенням СД, викликаних наявністю кисню в монокристалі кремнію. Розроблено метод визначення щільності ростових мікродефектів, що утворюють "свірл-дефекти".

Розглянуто основні динамічні показники малопотужних магнітоелектричних двигунів дискового типу. Одержано розрахункові формули для оцінки добротності, електромеханічної та електромагнітної сталих часу на початковій стадії проектування двигунів.

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: З85-03 + В379.251.4

Рубрики:

Електроніка

Кристалізація

Шифр НБУВ: Ж29126:Рад.тех. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Показано, що вихідні, необроблені кристали напівізолюючого GaAs, компенсовані телуром, після ВЧ-обробок деградують суттвєо менше у порівнянні зі зразками, легованими хромом. Даний ефект свідчить про суттєвий вплив типу компенсуючої домішки на деградаційну стійкість матеріалу. Також встановлено, що кристали напівізолюючого GaAs, компенсовані телуром, що пройшли попередню обробку в плазмі водню, мають вищу деградаційну стійкість до впливу тривалих високочастотних і мікрохвильових обробок, у порівнянні з необробленими кристалами.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.332 + З852-03

Рубрики:

Галій та його сполуки

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: РА421863 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто особливості вимірювання параметрів злитків монокристалічного кремнію в умовах промислового виробництва. Досконало розглянуто особливості контролю параметрів злитків які підлягають сертифікації при здачі партій злитків замовнику, та наведено опис технологічної схеми процесу вимірювання параметрів злитків кремнію і формування сертифікату якості. Описано та проаналізовано перелік фізичних параметрів, що підлягають сертифікації. Виконано аналіз методів, методик та обладнання, що застосовуються на підприємствах при вимірювані параметрів напівпровідникових матеріалів, а також виконано їх класифікацію. На основі аналізу існуючих методів, методик та обладнання, що використовуються на підприємствах електронної галузі сформовані вимоги до системи автоматичного управління вимірюванням промислово контрольованих параметрів злитка напівпровідників. В роботі авторами виконано синтез структурної схеми запропонованої системи, на основі аналізу процесу вимірювання параметрів монокристалічного кремнію центральною заводською лабораторією розроблено діаграму послідовності виконання операцій вимірювання параметрів. Схема враховує збір інформації про виміряні параметри як з існуючих в лабораторії приладів, так і тих параметрів, що потребують вимірювання в ручному режимі. Розроблено програмне забезпечення в середовищі LabView, яке реалізує функції збору інформації про вимірювані параметри, функції реєстрації інформації про параметри злитків кремнію в базі даних, та автоматичне формування сертифіката якості злитка. Розроблена система дозволяє скороти час на технологічну операцію сертифікації злитка монокристалічного кремнію та мінімізувати помилки, які виникали при заповненні сертифікату якості за рахунок так званого "людського фактору". Система може знайти застосування на підприємствах електронної техніки та підприємствах, що випускають продукцію, яка підлягає сертифікації по багатьом параметрам.

Розглянуто особливості удосконалення технології вирощування зливків арсеніду галію для виробництва підкладок, призначених для нанесення пористої плівки. Такий пористий арсенід галію застосовується для виготовлення сенсорів газу, що мають поліпшені технічні параметри. Докладно розглянуто особливості технологічного процесу вирощування зливків арсеніду галію та проаналізовано основні параметри, що впливають безпосередньо на процес. На основі аналізу сформовано вимоги до алгоритму роботи інформаційно-керуючої системи. Розроблений алгоритм дозволяє організувати роботу системи у трьох режимах: режим технолога, режим апаратника, режим наладчика Кожен режим має свої привілеї та обмеження. Алгоритм дозволяє організувати керування та видачу інформації з наступних підсистем: керування нагрівачем, керування тиглем, керування затравкою, керування діаметром, а також збереження інформації у базі даних. Розроблено програмне забезпечення, що реалізує запропонований алгоритм. Режим технолога призначений для формування профілю вирощування зливків. Профіль дозволяє прив'язати до довжини зливку зміну технологічних параметрів. У режимі "Апаратник" система відображає поточну інформацію про технологічний процес та дозволяє організувати роботу в автоматичному або ручному режимі. У режимі "Наладчик" можна конфігурувати систему керування залежно від конкретних вимог, змінити коефіцієнти ПІД-регулятора, конфігурувати вхідні та вихідні сигнали. Розроблена система дозвол яє збільшити якість зливків арсеніду галію за рахунок виключення людського фактору, який часто призводить до виходу параметрів процесу за допустимі значення, збільшити повторюваність параметрів зливка, отримувати якісніші підкладки для виготовлення сенсорів газу. Пропоноване програмне забезпечення можна використовувати для системи вирощування зливків кремнію на підприємствах електронної промисловості.

Викладено архітектуру мікроконтролерів, основи програмних застосунків для їх програмування, практичні приклади застосування мікроконтролерів зчитування інформації з сенсорів і пристроїв введення дискретної інформації, управління виконавчими пристроями. Розглянуто особливості AVR мікроконтролерів, класифікацію AVR мікроконтролерів за архітектурою системи команд і архітектурою простору пам'яті. Зроблено короткий огляд сучасних виробників AVR мікроконтролерів включаючи мікроконтролерні системи, що випускаються під торговою маркою Arduino. Розглянуто засоби розробки програмного забезпечення; середовище CodeVisionAVR для програмування та налагодження програм AVR контролерів і середовище Arduino IDE, яке забезпечує створення програм для Arduino.