Висвітлено основи загальної акустики в контексті застосування акустичних хвиль в медицині. Розглянуто питання теорії перетворювачів акустичних хвиль, методи формування їх характеристик і п'єзоелектричні матеріали для перетворювачів. Проаналізовано біофізичні механізми впливу акустичного поля на живий організм, біофізичні основи використання акустичної терапії.

Освещены основы общей акустики в контексте применения акустических волн в медицине. Рассмотрены вопросы теории преобразователей акустических волн, методы формирования их характеристик и пьезоэлектрические материалы для преобразователей. Проанализированы биофизические механизмы влияния акустического поля на живой организм, биофизические основы использования акустической терапии.

Викладено теоретичні основи радіолокаційних і радіонавігаційних систем. Акцентовано увагу на задачах морського радіозв'язку та радіонавігації, що базується на використанні сучасних глобальних супутникових комплексів. Розглянуто методи та режими радіолокації, вплив умов поширення радіохвиль на ефективність дії радіолокаційних станцій (РЛС), пристрої основних блоків суднових РЛС і їх тактико-технічні характеристики, типи та будову радіопеленгаторів, радіомаяки.

Изложены теоретические основы радиолокационных и радионавигационных систем. Акцентировано внимание на задачах морской радиосвязи и радионавигации, базирующейся на использовании современных глобальных спутниковых комплексов. Рассмотрены методы и режимы радиолокации, влияние условий распространения радиоволн на эффективность действия радиолокационных станций (РЛС), устройства основных блоков судовых РЛС и их тактико-технические характеристики, типы и строение радиопеленгаторов, радиомаяки.

Описано технологічний процес механічної обробки робочої поверхні полікристалічних звукопроводів пристроїв на поверхневих акустичних хвилях з п'єзокераміки різних марок системи цирконат - титанат свинцю. Наведено дані режимів технологічних операцій і методи оцінки якості обробки поверхні звукопроводів.

Проведено порівняльний аналіз оптичних фазометрів з ортогональною фільтрацією та дискретною обробкою сигналів. Наведено переваги та недоліки таких фазометрів під час їх застосування для виміру оптичних параметрів напівпровідників.

Досліджено властивості вікон сенсорів ІЧ діапазону, що використовуються для фотоприймачів, які працюють за умов жорсткого випромінювання. Досліджено зміну властивостей вікон з кристалів германію, арсеніду галію, антимоніду індію. Показано, що такі зміни залежать від вихідних властивостей та появи структурних дефектів.

Наведено результати досліджень конструктивних дефектів кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (КФЕП) за допомогою методу растрової електронної мікроскопії. Розглянуто модель впливу параметрів технологічного процесу формування антивідбиваючого покриття на інформативні параметри якості та надійності КФЕП. Одержані результати можна використовувати у процесі розробки чи удосконалення технології виробництва КФЕП для підвищення їх якості та надійності.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619

Рубрики:

Одержання плівок

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати досліджень і розробки вимірювальних перетворювачів для датчиків лінійних і кутових переміщень на поверхневих акустичних хвилях (ПАХ) на основі п'єзоелектричної плівки оксиду цинку (ZnО) з використанням плівкових хвилеводів. Досліджено малоапертурні зустрічно-штирьові перетворювачі ПАХ і плівкові концентратори рупорного типу. Оцінено одержані результати досліджень.

Наведено аналітичний огляд матеріалів 3-ої Міжнародної науково-технічної конференції "Сенсорна електроніка і мікросистемні технології", головним чином пленарних доповідей. Зроблено оцінку нових результатів, стану та перспектив досліджень в області сенсорики за основними її напрямками.

Наведено результати досліджень структури і адсорбційних властивостей нового класу функціональних матеріалів - каліксаренів. Показано, що певні каліксаренові сполуки мають високі значення характеристик чутливості та вибірковості до газів ацетону й аміаку.

Встановлено закономірності електрофізичних та адсорбційних явищ у кристалічних діелектриках і шаруватих структурах, що виникають у процесі поширення поверхневих акустичних хвиль (ПАХ) і розроблено на їх основі ефективні фізичні методи керування характеристиками акустоелектронних пристроїв (АЕП). Одержано нові дані електрофізичних параметрів і акустичних характеристик для хвиль Релея, їх температурні та частотні залежності ряду перспективних діелектриків, що можуть бути використані в акустоелектроніці. Запропоновано новий аналітичний метод аналізу впливу випадкових відхилень топології зустрічно-штирових перетворювачів (ЗШП) на характеристики АЕП на ПАХ. Виведено і досліджено вагову функцію для аподизації ЗШП.

Висвітлено сутність, особливості будови та галузі застосування інтелектуальних вимірювально-інформаційних систем. Охарактеризовано мікроелектронні датчики нового покоління. Розкрито особливості побудови інтелектуальних вимірювальних систем на основі мікроелектронних датчиків. Висвітлено принципи й основні положення сканувальної мікрохвильової мікроскопії. Розглянуто інтелектуальні системи (ІС) з напівпровідниковими датчиками механічних і теплових величин, а також ІС і пристрої на основі мікроелектронних напівпровідникових газових датчиків, біодатчиків, акустоелектронних датчиків на поверхневих акустичних хвилях. Увагу приділено можливостям використання ІС для діагностування стану рослин.

Висвітлено теорію і практику створення та використання в приладах та інформаційних системах фотовипромінювачів, фотоприймачів, акустоелектронних та акустооптичних сенсорів, датчиків іонізуючих випромінювань та інших виробів сучасної сенсорики. Описано методи одержання та управління властивостями напівпровідникових матеріалів, зокрема, сполук і гетероструктур, нові методи метрології їх параметрів, а також створення на їх основі та основі оптичних і п'єзонапівпровідникових матеріалів опто- і акустоелектронних сенсорів і систем.

Освещены теория и практика создания и использования в приборах и информационных системах фотоизлучателей, фотоприемников, акустоэлектронных и акустооптических сенсоров, датчиков ионизирующих излучений и других изделий современной сенсорики. Описаны методы получения и управления свойствами полупроводниковых материалов, в частности, соединений и гетероструктур, новые методы метрологии их параметров, а также создания на их основе и основе оптических и пъезополупроводниковых материалов опто- и акустоэлектронных сенсоров и систем.

Розглянуто питання дослідження, розробки та організації виробництва мікроелектронних датчиків (МЕД) нового покоління (НП) різних типів і призначення, інтегрованих в інтелектуальні системи (ІС). Описано напівпровідникові датчики механічних і теплових величин, мікроелектронні напівпровідникові газові, акустоелектронні на поверхневих акустичних хвилях, мікрохвильові датчики, біодатчики та системи, ІС з МЕД. Особливу увагу приділено вивченню і використанню нових фізичних, хімічних, біофізичних ефектів під час створення нових класів МЕД НП. Висвітлено проблеми забезпечення ІС якісною первинною інформацією, створеними датчиками та їх використанням у різних галузях народного господарства, медицини. Викладено підходи до вирішення проблем інтеграції датчиків з засобами обчислювальної техніки, побудови мультисенсорних вимірювальних приладів і забезпечення високої чутливості, вибірковості та метрологічної надійності ІС. Визначено перспективні напрями розвитку датчиків на основі нових функціональних матеріалів, перспективних технологій та ІС з їх використанням.

Рассмотрены вопросы исследования, разработки и организации производства микроэлектронных датчиков (МЭД) нового поколения (НП) разных типов и назначения, интегрированных в интеллектуальные системы (ИС). Описаны полупроводниковые датчики механических и тепловых величин, микроэлектронные полупроводниковые газовые, акустоэлектронные на поверхностных акустических волнах, микроволновые датчики, биодатчики и системы, ИС с МЭД. Внимание уделено изучению и использованию новых физических, химических, биофизических эффектов при создании новых классов МЭД НП. Освещены проблемы обеспечения ИС качественной первичной информацией, созданными датчиками и их использованием в разных отраслях народного хозяйства, медицине. Изложены подходы к решению проблем интеграции датчиков со средствами вычислительной техники, построения мультисенсорных измерительных приборов и обеспечения высокой чувствительности, выборочности и метрологической надежности ИС. Определены перспективные направления развития датчиков на основе новых функциональных материалов, перспективных технологий и ИС с их использованием.

Наведено відомості про віртуальну лабораторію автоматизованого проектування приладів та інтелектуальних систем. Описано важливу функцію віртуальної лабораторії - інформаційне забезпечення. Показано, що у тісній співпраці науково-дослідних інститутів та університетів можливо розробити та реалізувати бази даних, які становитимуть ядро інформаційного забезпечення такої складної системи, як віртуальна лабораторія автоматизованого проектування. Увагу зосереджено на розробленій бібліотеці готових рішень, яка містить інформацію про розроблені та реалізовані вітчизняними фахівцями датчики, прилади та інтелектуальні системи.

Розглянуто можливі перспективи застосування у сенсорній електроніці одноатомного шару вуглецю - графену, за дослідження якого присуджена Нобелівська премія за 2010 р. Надано стислу інформацію про лауреатів премії А. Гейма і К. Новосьолова, колишніх громадян СРСР.

Розглянуто принципи побудови мультипроцесорних терміналів мережевих інформаційно-вимірювальних систем, призначених для реєстрації кількох швидкозмінних взаємопов'язаних параметрів із прив'язкою до єдиної осі часу. Описано структурні схеми для формування безперервного потоку даних вимірювань із максимально можливою швидкістю та безпосереднього керування об'єктом контролю.

Індекс рубрикатора НБУВ: К663-1

Рубрики:

Захист металів від корозії покриттями

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Виявлено зміни електричних параметрів шарів, отриманих з використанням опромінення гамма-квантами в процесі епітаксії. Пояснено отримані результати утворенням комплексів первинних радіаційних дефектів з атомами домішки. Досліджено спектри фотолюмінесценції шарів арсеніду галію, одержаних з початковою температурою епітаксії 1023 К.

Наведено результати розробки і дослідження мікроелектронного сенсора водню, побудованого на основі елемента на поверхневих акустичних хвилях і шаруватих структур з двох матеріалів, один з яких виконує функцію молекулярного сита.