Розглянуто основи метрології як науки про вимірювання, методи і засоби забезпечення їх єдності та способи досягнення точності. Наведено основні відомості про одиниці фізичних величин, еталони та зразкові засоби вимірювань. Описано способи передачі розмірів одиниць від еталонів зразковим, а від них - робочим засобам вимірювань. Висвітлено основні характеристики, методи та засоби вимірювань.

Висвітлено питання теорії та практики процесів складання та юстування оптичних приладів. Описано призначення та суть зазначених процесів, їх елементи, термінологію, а також зв'язок складального процесу, особливо його завершальної стадії - юстування, з конструкцією приладу, технологією виготовлення його деталей і контрольною апаратурою. Проаналізовано основні залежності між властивостями приладів, точністю виготовлення їх деталей і точністю їх складання, а також методи контролю даних властивостей. Розглянуто особливості юстування бінокулярних приладів.

Описано транзистори n - p - n-типу та їх різновиди (багатовимірні транзистори, транзистори з бар'єром Шотткі, супербета транзистори), інтегральні діоди та стабілітрони, напівпровідникові резистори та конденсатори. Наведено елементи плівкових інтегральних схем, здійснено порівняльну оцінку способів ізоляції.

Описаны транзисторы n - p - n-типа и их разновидности (многомерные транзисторы, транзисторы с барьером Шоттки, супербета транзисторы), интегральные диоды и стабилитроны, полупроводниковые резисторы и конденсаторы. Приведены элементы пленочных интегральных схем, осуществлена сравнительная оценка способов изоляции.

Викладено методи, засоби, проблеми та перспективи розвитку сучасної технології виготовлення напівпровідникових, плівкових, гібридних і суміщених інтегральних мікросхем. Описано іонно-плазмове, катодне, реактивне напилювання, анодування, рентгенівську, іонно- та електроннопроменеву літографії. Розкрито технологію гібридних мікросхем, зокрема, комбінований метод формування рисунка плівкових елементів.

Изложены методы, средства, проблемы и перспективы развития современной технологии изготовления полупроводниковых, пленочных, гибридных и совмещенных интегральных микросхем. Описаны ионно-плазменное, катодное, реактивное напыления, анодирование, рентгеновская, ионно- и электроннолучевая литографии. Раскрыта технология гибридных микросхем, в частности, комбинированный метод формирования рисунка пленочных элементов.