Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В374

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Оптичні властивості твердих тіл. Оптичні властивості кристалів (кристалооптика)

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В378.26 + К202.6

Рубрики:

Тонкі шари металів

Тонкі шари (плівки) металів і сплавів

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено систематичний аналіз варіантів конструкції модульної установки плазмово-фотостимульованого формування плівок, запропоновано оригінальну конструкцію плазмового реактора ємнісного типу. На основі запропонованих конструкторських і наукових підходів виготовлено експериментальний зразок установки, проведено її наладку та випробовування. Виготовлено експериментальну партію алмазоподібних вуглецевих плівок та, з метою оптимізації технологічних режимів осадження, досліджено вплив умов формування на їх властивості.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + Ж619

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Одержання плівок

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Наведено результати досліджень щодо створення нової стратегічної для України наукоємної галузі виробництва - фотоенергетичного приладобудування для забезпечення потреби держави в альтернативних відтворюваних джерелах енергії - сучасних сонячних елементів (СЕ), фотоелектричних батарей і сонячних електростанцій. Увагу приділено новим розробкам для повного технологічного циклу - від виробництва кремнію до кінцевого продукту сонячної енергетики - фотоелектричних модулів, батарей і автономних сонячних електростанцій. Описано технологію і автоматичну систему вирощування бездислокаційних зливків кремнію з рівномірним розподілом кисню за довжиною для проведення керованого вирощування зливка на всіх стадіях технологічного процесу. Розкрито фізичні основи роботи й особливості створення нових конструкцій ефективних СЕ в Україні як кращих світових зразків.

Досліджено вплив ультрафіолетового та гамма-опромінення на властивості алмазоподібних вуглецевих плівок із різним вмістом азоту. Опромінення ультрафіолетовим світлом призводить до суттєвого збільшення оптичної ширини забороненої зони внаслідок структурних змін зв'язків вуглецю, водню та азоту, а також завдяки частковій дифузії у плівку кисню повітря, що активується під час опромінення. Під час гамма-опромінення відбувається зменшення оптичної ширини забороненої зони, проте плівки з більшим вмістом азоту показують більшу стійкість до радіаційного впливу. У цьому випадку структурні зміни стосуються переважно зв'язків азоту, з малою перебудовою зв'язків вуглецю.

Теоретично передбачено й експериментально доведено, що в деформованих плівках тонкого графітоподібного вуглецю в К-точці з'являється заборонена зона, пропорційна до міри дефектності плівки. Виявлений фазовий перехід метал - напівпровідник у тонкій графітовій (або багатошаровій графеновій) плівці може виявитися перспективним в інженерії напівпровідникових матеріалів.

Досліджено структуру плівок сульфіду кадмію, одержаних за допомогою методу гарячої стінки. Встановлено, що зі збільшенням товщини шарів зменшуються механічні напруження, у цьому випадку за малих товщин плівки спостерігаються стискувальні макронапруження, а за більших - розтягувальні. У разі збільшення товщини плівки CdS збільшується ширина забороненої зони, що зумовлено збільшенням розміру областей когерентного розсіювання. Встановлено, що у ролі широкозонних "вікон" для створення ефективних сонячних елементів на основі гетеросистеми CdS/CdTe доцільно використовувати відпалені на повітрі плівки CdS товщиною близько 0,3 мкм.

Досліджено фотоелектричні характеристики структур ITO/CdTe, виготовлених за допомогою методу термічного вакуумного випаровування та шляхом осадження у квазізамкненому об'ємі до та після різних обробок. Частина зразків проходила "хлоридну" обробку, інша - відпал на повітрі. Після цього проведено обробку зразків у плазмі водню та нанесення на них тонкої алмазоподібної плівки (АПП). Показано, що проведення "хлоридної" обробки структур ITO/CdTe призводить до збільшення дифузійної довжини носіїв заряду у шарі CdTe. Проведення термовідпалу не впливає на значення дифузійної довжини носіїв заряду у шарі CdTe, але значно підвищує фоточутливість, що свідчить про зменшення на поверхні шару CdTe швидкості поверхневої рекомбінації. Шляхом комбінації термовідпалу, "хлоридної" обробки, плазмової обробки у водні та нанесення тонких АПП одержано збільшення довжини дифузії носіїв заряду у шарі CdTe в усіх досліджуваних структурах ITO/CdTe. На структурах ITO/CdTe, одержаних термічним вакуумним випаровуванням, обробка у плазмі водню призводила до значного збільшення спектральної чутливості в діапазоні довжин хвиль 400 - 800 нм, а на структурах, які пройшли "хлоридну" обробку, значне збільшення спектральної чутливості досягалось після обробки у плазмі водню і нанесення АПП.

Досліджено вплив мікрохвильових обробок (МХО) на оптичні властивості епітаксійних плівок GaN гексагональної модифікації. Для діагностики рівня внутрішніх механічних напружень і структурної досконалості тонкого приповерхневого шару плівки використано метод електровідбивання (ЕВ). Спектри ЕВ виміряно в області локалізації перших прямих зона-зонних переходів. Показано, що внаслідок МХО в опромінених плівках спостерігається релаксація внутрішніх механічних напружень і поліпшення структурної досконалості приповерхневого шару. Запропоновано механізм виявлених ефектів, що враховує резонансні ефекти та локальний розігрів дефектних областей плівки.

Наведено результати вимірювань інтенсивності сонячного випромінювання, одержані протягом 2009 - 2010 рр. у м. Київ. Методика надає змогу одержати інформацію для прогнозування технічних характеристик автономних фотоелектричних сонячних електростанцій для тих регіонів, де проводяться вимірювання.

Розглянуто особливості функціонування та підвищення ефективності автономних сонячних електроенергетичних систем (СЕС) з урахуванням нерівномірності надходження сонячної енергії впродовж року та забезпечення безперебійності постачання електроенергії користувачам. Наведено варіанти об'єднання СЕС з електромережею та особливості функціонування промислової мережі, поєднаної з СЕС. Показано необхідність створення промислової мережі на нових принципах "розумної енергетики" - Smart Grid, розроблення якої, з урахуванням інтеграції до неї електростанцій, що використовують відновлювану енергію, має істотно підвищити ефективність роботи енергосистеми в цілому. Наведено результати натурних вимірювань потоку сонячної енергії в м. Київ за період з 01.06.2009 р. по 31.05.2010 р. згідно з розробленою методикою вимірювання й оброблення одержаних даних.

Показано, що вихідні, необроблені кристали напівізолюючого GaAs, компенсовані телуром, після ВЧ-обробок деградують суттвєо менше у порівнянні зі зразками, легованими хромом. Даний ефект свідчить про суттєвий вплив типу компенсуючої домішки на деградаційну стійкість матеріалу. Також встановлено, що кристали напівізолюючого GaAs, компенсовані телуром, що пройшли попередню обробку в плазмі водню, мають вищу деградаційну стійкість до впливу тривалих високочастотних і мікрохвильових обробок, у порівнянні з необробленими кристалами.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г576.63

Рубрики:

Електроосадження металів. Електрокристалізація металів

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ