Розглянуто основні фізичні процеси та властивості напівпровідникових діодів, біполярних і польових транзисторів. Наведено математичний аналіз роботи напівпровідникових приладів, висвітлено фізичні явища. Проаналізовано фізичні контактні явища у напівпровідниках, контактах метал - напівпровідник, структурах метал - діелектрик - напівпровідник. Наведено статичні характеристики та динамічні параметри біполярних і польових транзисторів. Розглянуто зміну параметрів і властивостей напівпровідникових приладів залежно від режимів роботи.

Проведено дослідження впливу деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів кремнію, легованих бором, в діапазоні температур 1,7 - 300 К та магнітного поля з індукцією до 14 Тл. Установлено, що особливості впливу деформації на зміну питомого опору ниткоподібних кристалів кремнію проявляються в області фазового переходу метал-діелектрик за гелієвих температур, а також магнітного поля та без нього. Проаналізовано вплив деформації на зміну енергії активації домішкової провідності.

The effect of strain on the impurity conductivity of boron doped silicon whiskers in the wide temperature range 1.7-300 K and in the magnetic field up to 14 T was studied. It was shown that the peculiarities of strain-induced changes of resistivity ofsilicon whiskers reveal them self in the region of metal-insulator transition at liquid helium temperatures as in the presence of magnetic field and in the absence of magnetic field. The effect of strain on the changes of activation energies for impurityconductivity was analyzed also

Ключ. слова: ниткоподібний кристал, перехід метал-діелектрик, магнітоопір, енергія активації, коефіцієнт тензочутливості
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.33 + В377.3

Рубрики:

Тверді розчини

Магнітні властивості твердих тіл. Магнетики

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто основні процеси і властивості напівпровідникових діодів, біполярних і польових транзисторів і тиристорів. Проведено математичний аналіз напівпровідникових приладів і фізичних явищ у напівпровідниках, контактах "метал - напівпровідник", структурах "метал - діелектрик - напівпровідник". Наведено статичні характеристики та визначено динамічні параметри біполярних і польових транзисторів, а також зміну параметрів і властивостей напівпровідникових приладів залежно від режимів роботи.

Рассмотрены основные процессы и свойства полупроводниковых диодов, биполярных и полевых транзисторов и тиристоров. Проведен математический анализ полупроводниковых приборов и физических явлений в полупроводниках, контактах "металл - полупроводник", структурах "металл - диэлектрик - полупроводник". Даны статические и определены динамические параметры биполярных и полевых транзисторов, а также изменение параметров и свойств полупроводниковых приборов в зависимости от режимов работы.

Відзначено, що для модельного напівпровідника з ймовірними параметрами розраховано термоелектричну ефективність напівпровідникових матеріалів, показано залежність максимального значення ефективності від закону дисперсії носіїв струму та механізмів їх розсіювання на дефектах кристалічної гратки.

Виміряно коефіцієнт Зеєбека в деформованих і недеформованих ниткоподібних кристалах твердих розчинів Si-Ge в інтервалі температур 4,2 - 200 K. Надано аналіз одержаних результатів вимірювань з урахуванням процесу екранування потенціалів домішкових атомів носіями зарядів.

Індекс рубрикатора НБУВ: З32-53

Рубрики:

Теплотехнічні вимірювання

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22 + В379.271.51

Рубрики:

Структура напівпровідників

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + В379.274

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: кремній, ниткоподібні кристали, кріогенні температури, сенсори деформації, п'єзорезистивний
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.413 + В379.2

Рубрики:

П'єзоелектрики

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: шари полікремнію на ізоляторі, лазерна рекристалізація, кріогенні температури, магнітні поля, сенсори
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: шари полікремнію на ізоляторі, лазерна рекристалізація, кріогенні температури, п'єзоопір, магнітоопір, сенсори температури і механічних величин
Індекс рубрикатора НБУВ: З32-53 + З843.413

Рубрики:

Теплотехнічні вимірювання

П'єзоелектрики

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.273

Рубрики:

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.33 + В377.3

Рубрики:

Тверді розчини

Магнітні властивості твердих тіл. Магнетики

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + В379.271.2

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Електропровідність

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Описано тенденції розвитку сучасних вимірювальних пристроїв і перспективи використання систем збору та обробки інформації на базі мікроконтролерів фірми CYPRESS для розробки інтелектуальних сенсорів механічних величин. Наведено переваги реалізації сенсорів на базі цих систем над відомими сенсорами. Надано багатофункційний сенсор тиску-температури з цифровою оброкою вимірювальної інформації та передачею її на персональний комп'ютер. Як первинні перетворювачі використано КНІ-структури, які містять міст із чотирьох полікремнієвих п'єзорезисторів та одного терморезистора.

Індекс рубрикатора НБУВ: З264.54

Рубрики:

Напівпровідникові перетворювачі та випрямлячі

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15-06

Рубрики:

Інтегральні схеми

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.413

Рубрики:

П'єзоелектрики

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ