По методике Крамерса - Кронига определены оптические функции слоистых монокристаллов бромида индия с использованием поляризационных спектров отражения, измеренных в области 2 - 30 эВ при температуре жидкого гелия. Обнаруженная сильная анизотропия спектров и соответствующих оптических функций обусловлена особенностями теоретико-групповых правил отбора и кристаллического строения бромида индия. Полученные результаты интерпретированы в сравнении с известными оптическими свойствами и зонно-энергетическими параметрами изоэлектронных и изоструктурных (по отношению к InBr) полупроводников. Проведена идентификация происхождения главных структур спектров, существенных для определения количественных параметров зонноэнергетического строения InBr.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Одержано зонно-енергетичну діаграму бромиду індію та ефективні маси вільних носіїв заряду. Встановлено генезис валентних зон та нижніх зон провідності InBr. Розраховано розподіл густини станів, виміряно фотоелектронний спектр у широкому енергетичному діапазоні, проаналізовано структуру, досліджено генетичне та просторове походження основних смуг та вплив особливостей Ван Хова на формування функції густини станів. Проведено розрахунок повної енергії, визначено рівноважні параметри основного стану кристала та атомні характеристики InBr. Проаналізовано природу виміряних у широкій енергетичній області (до 30 еВ) поляризованих спектрів відбивання за температури рідкого гелію з використанням обчислених за співвідношенням Крамерса - Кроніга оптичних функцій монокристалів InBr. Розраховано міжзонні матричні елементи дипольного моменту та спектри уявної частини діелектричної проникності для різних поляризацій світла. Проведено ідентифікацію головних особливостей оптичних спектрів броміду індію.

Індекс рубрикатора НБУВ: В376.7 + Г127.105-1

Рубрики:

Вплив високого тиску

Галогеніди

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27

Рубрики:

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г582 + В379.225 + В379.27

Рубрики:

Поверхневі шари та їх властивості

Поверхневі явища в напівпровідниках

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.8 + В379.27

Рубрики:

Кластери в твердих тілах

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212 + В379.2

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + В344.31

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Збудження спектрів атомів і молекул

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На основі формфакторів модельного потенціалу проведено розрахунки зонної енергетичної структури напівпровідників CdS та CdSe, як об'ємних, так і наноструктурованих. Показано перевагу методу модельного псевдопотенціалу над класичними першопринципними підходами в оцінці ширини забороненої зони об'ємних напівпровідникових кристалів. Одержано добре узгодження параметрів зонної структури із експериментальними даними та результатами інших розрахунків.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + В379.26

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На основі формфакторів модельного потенціалу проведено розрахунки зонної енергетичної структури напівпровідників CdS та CdSe, як об'ємних, так і наноструктурованих. Показано перевагу методу модельного псевдопотенціалу над класичними першопринципними підходами в оцінці ширини забороненої зони об'ємних напівпровідникових кристалів. Одержано добре узгодження параметрів зонної структури із експериментальними даними та результатами інших розрахунків.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + В379.26

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Нанопоруваті фази або поліморфи - це різноманітні структури неорганічних твердих тіл, що мають зазвичай один і той же склад, що й об'ємний кристал, і різні властивості та можливості застосування. Тому синтез чи то прогнозування нових класів нанопоруватих структур для певної сполуки мають велике значення та набувають значного інтересу. Зважаючи на таке, в межах теорії функціонала густини з Габбардовими поправками на Кулонову взаємодію (метод GGA + U) з використанням підходу "знизу вгору" проведено теоретичне передбачення нанопоруватих фаз низької щільності на основі фуллереноподібних нанокластерів ZnO, зокрема цеолітоподібних структур SOD, LTA та FAU. Встановлено структурні параметри для трьох нових нанопоруватих фаз (CAN, LOS і FRA), які можуть розширити сімейство нанопоруватих фаз ZnO. Всі нові нанофази можна класифікувати як неорганічні матеріали з відкритим каркасом (подібно до алюмосилікатних цеолітів). Встановлено особливості електронного спектра нових нанофаз і показано, що електронні властивості окремих складових частин зберігаються й у складеній нанопоруватій фазі. Дослідження показало, що всі нанопоруваті фази є напівпровідниковими матеріалами з забороненою зоною, ширшою, ніж у об'ємного кристалу ZnO. Порожниста будова складових частин нанопоруватих фаз призводить до їх високої пружності та гнучкості у порівнянні з кристалічними аналогами. Нанопоруваті фази, якщо їх синтезувати, надають можливості для легування різного роду домішками з метою керованої зміни їх електронної структури. Також синтез таких нанофаз уможливить використовувати їх для гетерогенного каталізу, молекулярного транспорту тощо. Таким чином, висновки, одержані в даній роботі, є корисними для подальшого розширення спектра властивостей і можливостей застосування матеріалів на основі ZnO.

Подано теоретичні положення з основних розділів атомної фізики, сформульовано запитання для контролю якості засвоєння знань студентами, наведено приклади розв’язування типових задач і задачі для самостійно розв’язування. Викладено матеріал щодо квантових властивостей випромінювання та, зокрема, законів теплового випромінювання. Досліджено розсіювання частинок, вивчення якого посприяло перевірці моделей будови атома. Розглянуто дані моделі, зокрема планетарну модель атома водню, динаміка якої визначається класичною механікою та постулатами Бора. Хоча теоретично розраховані на підставі цих підходів спектри випромінювання атома водню та дані для розсіяння частинок з високою точністю збігалися з результатами експериментів, напівкласичний атом не був внутрішньо узгодженою фізичною моделлю. На зміну їй прийшли квантово-механічні підходи. Розглянуто хвилі матерії та їхню дифракцію, описано хвильові функції та ефект тунелювання.