Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + К294.040.138.4

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж68777 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Вивчено вплив легуючих елементів на фазові перетворення та структуру напівпровідникового кремнію. Показано, що фазові та структурні перетворення, що відбуваються в кремнії в інтервалі температур 100 - 1200 °C, значно впливають на формування кінцевої структури і, відповідно, електрофізичних властивостей. Структурні зміни послабляються або придушуються цілком шляхом введення в кремній легуючих елементів, що значно підвищують енергію міжатомної взаємодії. Цей факт необхідно враховувати у виробництві напівпровідникових приладів. Визначені температури технологічних процесів з урахуванням інтервалів фазових перетворень у кремнії, а також під час вибору легуючих елементів, що забезпечують темостабільність кремнію.

Висвітлено фізико-хімічні методи дослідження напівпровідників. Описано методи очищення, синтезу, росту кристалів, одержання склоподібних речовин та тонких плівок напівпровідників. Розглянуто хіміко-технологічні методи обробки напівпровідникових матеріалів: різання, шліфування, полірування, травлення, дифузія та виготовлення і дослідження p-n-переходів. Наведено схеми приладів та обладнання, методи кількісної обробки експериментальних результатів.

Освещены физико-химические методы исследования полупроводников. Описаны методы очищения, синтеза, роста кристаллов, получения стекловидных веществ и тонких пленок полупроводников. Рассмотрены химико-технологические методы обработки полупроводниковых материалов: резание, шлифование, полирование, травление, диффузию, а также изготовление и исследование p-n-переходов. Приведены схемы приборов и оборудования, методы количественной обработки экспериментальных результатов.

Наведено огляд робіт щодо фазових перетворень в напівпровідниковому кремнії, що реалізуються в широкому інтервалі температур і супроводжуються "металізацією" міжатомних зв'язків та ущільненням кристалічної гратки. Фазові та структурні перетворення суттєво впливають на формування кінцевої структури й електрофізичних властивостей. Запропоновано способи поліпшення електрофізичних властивостей напівпровідникового кремнію з урахуванням твердофазних перетворень.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.312 + В377.12 + В375 + К294

Рубрики:

Вакансії і домішки

Електропровідність. Електричний опір

Термодинаміка твердих тіл. Теплові властивості твердих тіл

Напівпровідникові сплави

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто особливості вимірювання параметрів злитків монокристалічного кремнію в умовах промислового виробництва. Досконало розглянуто особливості контролю параметрів злитків які підлягають сертифікації при здачі партій злитків замовнику, та наведено опис технологічної схеми процесу вимірювання параметрів злитків кремнію і формування сертифікату якості. Описано та проаналізовано перелік фізичних параметрів, що підлягають сертифікації. Виконано аналіз методів, методик та обладнання, що застосовуються на підприємствах при вимірювані параметрів напівпровідникових матеріалів, а також виконано їх класифікацію. На основі аналізу існуючих методів, методик та обладнання, що використовуються на підприємствах електронної галузі сформовані вимоги до системи автоматичного управління вимірюванням промислово контрольованих параметрів злитка напівпровідників. В роботі авторами виконано синтез структурної схеми запропонованої системи, на основі аналізу процесу вимірювання параметрів монокристалічного кремнію центральною заводською лабораторією розроблено діаграму послідовності виконання операцій вимірювання параметрів. Схема враховує збір інформації про виміряні параметри як з існуючих в лабораторії приладів, так і тих параметрів, що потребують вимірювання в ручному режимі. Розроблено програмне забезпечення в середовищі LabView, яке реалізує функції збору інформації про вимірювані параметри, функції реєстрації інформації про параметри злитків кремнію в базі даних, та автоматичне формування сертифіката якості злитка. Розроблена система дозволяє скороти час на технологічну операцію сертифікації злитка монокристалічного кремнію та мінімізувати помилки, які виникали при заповненні сертифікату якості за рахунок так званого "людського фактору". Система може знайти застосування на підприємствах електронної техніки та підприємствах, що випускають продукцію, яка підлягає сертифікації по багатьом параметрам.