Наведено результати експериментальних досліджень процесу терморозширення інтеркальованих сполук графіту. Виявлено, що температура початку терморозширення залежить від типу інтеркалянту та номера стадії сполуки, і цей процес можна описати в рамках термодинамічної теорії. Ступінь терморозширення істотно залежить від типу інтеркалянту і збільшується при зростанні розмірів частинок вихідного графіту і стадії сполуки.

Запропоновано чотирьохстанову модель для опису послідовності фазових переходів у сегнетоелектричних кристалах типу DMAGaS і DMAAlS. Процеси впорядкування в підсистемі груп DMA розглянуто як головну причину таких перетворень. Взаємодію між групами в їх різних орієнтаційних станах враховано у диполь-дипольному наближенні. Отримано термодинамічні характеристики моделі (спонтанну поляризацію, заселеність орієнтаційних станів, фазову діаграму), що якісно узгоджуються з даними експерименту. Припустивши, що основний вплив гідростатичного тиску на кристал зводиться до зміни різниці енергій орієнтаційних станів груп DMA, пояснено експериментальний факт зникнення сегнетофази зі збільшенням тиску.

Для поперечно-неоднорідного діелектричного шару виведено дисперсійні рівняння в околі морсівської критичної точки і встановлено закономірності нерегулярної динаміки спектрів поблизу неї, що дозволило одержати для них квадратичні форми та локальні рівняння просторово-часової еволюції коливально-хвильових полів.

Запропоновано простий опис термодинаміки сегнетоелектричних кристалів типу DMAAS і DMAGaS за допомогою розкладу Ландау. Встановлено умови реалізації фазових переходів і отримано їх температури. Описано зміни температур фазових переходів під впливом зовнішнього всестороннього тиску. Досліджено температурну поведінку компонент діелектричної сприйнятливості та їх аномалій в околі точок фазових переходів. Отримані результати порівняно з експериментальними даними.

Передбачено існування в сегнетоелектриках додаткових поперечних електричних (ТЕ) та магнітних (ТМ) поверхневих поляритонів, обумовлених магнітоелектричною взаємодією. Проаналізовано спектр нових типів поверхневих поляритонів у випадку перпендикулярного напрямку електричної поляризації відносно поверхні кристала. Ці поляритони є різними у сегнетоелектричних доменах з протилежними напрямами спонтанної електричної поляризації. Так, поверхневі ТЕ поляритони існують лише в доменах, в яких електрична поляризація спрямована у глибину речовини. Крім того, магнітоелектрична взаємодія індукує такі ефекти, як подвійне заломлення і аномальну дисперсію ТМ поляритонів. Більш того, виявляється, що ТМ поляритони можуть існувати у тих типах сегнетоелектриків, в яких раніше вони були заборонені. Ці ж ефекти повинні відбуватися не тільки в сегнетоелектриках, але і в звичайних діелектриках, в постійному електричному полі, перпендикулярному поверхні кристала. Згадана вище асиметрія ефектів, у тому числі їх "увімкнення" і "вимкнення" повинна спостерігатися при зміні напрямку зовнішнього електричного поля.

На прикладі збудження другої гармоніки побудовано теорію нелінійної взаємодії електромагнітних хвиль у напівобмеженій періодичній діелектричній структурі. Припущено, що один із шарів, які утворюють період, має нелінійну поляризацію. Методика аналізу, яка базується на формулі Гріна, є розвитком теорії збурювання. Показано, що умовами синхронізму для взаємодіючих хвиль є бреггівські резонанси або на окремих шарах, або на періоді структури. Крім того, наведений розгляд показує, що найбільш ефективна взаємодія має місце на межах смуг пропускання у разі резонансу на цілому періоді.

В монографії розглянуті методи дослідження нестехіометрії і дефектності в перовскітових сполуках та склокерамічних матеріалах із застосуванням електричних та магнітних полів, рентгеноструктурного аналізу, електронної мікроскопії, методів ЕПР, ЯМР. Обговорюється природа дефектної структури і закономірності її впливу на фазові переходи і фізичні властивості в твердих неорганічних матеріалах. Вивчено вплив складних модифікаторів на фізичні властивості сегнето-, скло-, п'єзоелектриків і показані можливості застосування їх в різноманітних пристроях.

Методами оже- та екзоелектронної емісійних спектроскопій проведено елементно-фазовий аналіз реальних поверхонь поруватого кремнію (ПК) після формування поруватої структури методом електрохімічного травлення та контакту з лабораторною атмосферою. Досліджено елементний склад реальних поверхонь ПК та їх екзоелектронну емісію залежно від ступеня поруватості, часу експозиції на повітрі, у вакуумі та від дози електронного опромінення. Розраховано кінетичні та енергетичні параметри процесів, які зумовлюють екзоелектронну емісію, оцінено концентрацію екзоемісійно-активних центрів. Зроблено висновок про наявність адсорбатів і діелектричних покриттів на розвинених поверхнях ПК, роль яких у випромінювальних властивостях може бути визначальною. Методами кількісної оже-електронної спектроскопії оцінено склад діелектричних покриттів та їх ефективну товщину.

Получены компактные инвариантные соотношения рекуррентного типа для последовательного расчета диады импеданса параллельных слоев из одноосного однородного магнитодиэлектрика. Предложенные формулы, образующие основу быстродействующего алгоритма для расчетов на ЭВМ, проиллюстрированы путем расчета коэффициентов отражения плоской волны от плавнонеоднородной анизотропной пластины.

На основі мікроскопічного формалізму розглянуто задачу про локалізацію хвильової функції зарядженої частинки у сегнетоелектрику типу порядок - непорядок. Отримано ефективний функціонал енергії для системи сегнетоелектрик - заряджена частинка. Обговорюються залежності параметрів локалізованого стану від параметрів сегнетоелектричного кристала.

Досліджено залежність спектрів екситонної фотолюмінесценції (ФЛ) квантових ям ZnS - ZnSe з різними концентраціями центрів локалізації від інтенсивності збудження і температури. Одержано добрий збіг форми експериментальної смуги низькотемпературної ФЛ з розрахованими в моделі стрибків екситону на найближчий центр локалізації та в моделі, яка враховує переходи локалізованого екситону на всі центри його локального оточення. Визначено параметри, які характеризують локалізовані екситони в цих квантових структурах субмоношарової товщини.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.351 + В338.28

Рубрики:

Фазові рівноваги. Фазові перетворення

Електронні і іонні мікроскопи

Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ 

У рамках псевдоспінового формалізму для сегнетоелектриків типу порядок - непорядок отримано розв'язки, що описують біжучі нелінійні акустичні хвилі, зв'язані з поляризацією кристала. Знайдено і проаналізовано умови існування таких хвиль. Запропоновано інтерпретацію їх як солітонних решіток.

Проявление ортогональных компонент спонтанной поляризации при отсутствии признаков сегнетоэлектричества не нарушает принципа Кюри-Неймана. Эти компоненты формируются при выращивании линейного пироэлектрика, присущи ему всегда, но их величины на несколько порядков меньше, чем спонтанная поляризация по выделенной полярной оси. Низкотемпературное проявление компонент обусловлено только особенностью механизма их пироэлектричества - разупорядочением заряженных структурных единиц в асимметричных потенциальных ямах.

Описано метод визначення товщин надтонких шарів методом синтезу Є-імпульсу, який забезпечує більш високі характеристики, ніж метод квазірозв'язку. Наведено результати реального експерименту.

Розглядається метод оптимізації складних багатоекстремумних функцій від багатьох змінних, що задовольняють ряду умов, зі спеціальним пошуком початкових наближень та застосування цього методу до синтезу фазоізотропних багатошарових діелектричних покриттів з заданими властивостями.

Досліджено електромагнітні властивості системи феродіелектрик - провідне середовище в постійному магнітному полі при низьких температурах. Показано, що при достатньо високій концентрації носіїв заряду у сильному магнітному полі виникають нові вітки коливань - псевдоповерхневі хвилі, які характеризуються беззіткнувальним загасанням. Механізм беззіткнувального (радіаційного) загасання пов'язано з існуванням поряд з електромагнітними полями поверхневих хвиль додаткових полів, що розповсюджуються у глибінь провідного середовища. Визначено область існування розглянутих хвиль, знайдено функціональну залежність їх частоти та загасання від величини та напрямку зовнішнього магнітного поля.

Досліджено вплив надтонких діелектричних покриттів на електростатичну активність неселективної поверхні діелектриків. Запропоновано теоретичний метод оцінки електростатичної активності шаруватих діелектричних структур. Запропонований підхід дозволяє розрахувати електростатичну активність діелектричної (напівпровідникової) поверхні з різними товщинами діелектричних покриттів.

Виміряно значення швидкостей звукових коливань для різних напрямів розповсюдження та поляризації у шарових лужних молібдатах за низьких температур. Проведено порівняння експериментально знайдених абсолютних швидкостей звуку у віртуальних сегнетоеластиках і в системах з кооперативним ефектом Яна - Теллєра. Експериментально досліджено температурні залежності швидкостей звуку у цих системах. Зміна швидкостей звуку в зовнішньому магнітному полі вперше прямо доводить наявність взаємодії між магнітною та пружною підсистемами віртуального сегнетоеластика. Порівняння з теоретичними розрахунками свідчить про наявність нелінійного зв'язку електронної підсистеми з оптичними фононами.

Розглянуто п'єзоелектричний механізм орієнтації страйпів у двовимірних електронних системах у гетероструктурах GaAs-AlGaAs. Показано, що враховуючи анізотропію пружних модулів і вплив межі зразка, теорія дає орієнтацію страйпів уздовж [110] напряму, що відповідає експериментальним даним. Для двошарової системи знайдено ефект переорієнтації страйп-структури вздовж напряму [100] у випадку, коли період структури перевищує відстань між шарами.