Індекс рубрикатора НБУВ: В379.255

Рубрики:

Теплопровідність напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Викладено основні методи вимірювання теплопровідності твердих тіл та тонких плівок і конструкції установок для цих методів. Наведено ряд теоретичних та емпіричних формул для обрахунку теплопровідності простих і складних матеріалів за допомогою того чи іншого методу. Оцінено точність вимірювання для кожного з методів і проаналізовано причини, через які виникають похибки під час вимірювання.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.255

Рубрики:

Теплопровідність напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлены результаты экспериментального исследования поперечной теплопроводности многослойной пленочной структуры. Изучена возможность существенно изменять коэффициент теплопередачи между пленкой и подложкой за счет использования серии промежуточных нанотолщинных подслоев. Для макроскопических приложений полученный результат дает возможность создать твердотельный теплоизоляционный материал экстравысокого качества. Он также демонстрирует один из подходов к созданию функционального элемента тепловой нанотехнологии.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.255

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Теплопровідність напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розраховано граткову теплопровідність кремнієвих нанопроводів з використанням рівняння переносу Больцмана для об'ємних фононів у наближенні часу релаксації. Ця модель включає ангармонічне розсіювання фононів з урахуванням як нормальних процесів, так і процесів перекидання, розсіювання фононів у результаті ізотопічного безладу і розсіювання на границях, що надало можливість уникнути невідповідностей теплопровідності за низьких температур. Цей мінімальний набір часів релаксації дозволяє перевірити можливість використання класичних підходів у дослідженні теплопровідності нанопроводів малого діаметра. На підставі порівняння з експериментальними даними для кремнієвих нанопроводів зроблено висновок про можливість використання класичної межі для нанопроводів з діаметром, більшим 30 нм. Немає необхідності враховувати такі явища, як згортка акустичних фононів або обмеження оптичних фононів.

Обговорено зміст поняття "нелокальність" у теорії явищ переносу. Зіставлено нелінійні й нелокальні явища в термоелектриці. За допомогою методу кінцевих елементів виконано розрахунки характерної довжини зміни температури й довжини нелокальності для напівпровідникового контакту "конус - пластина". Показано, що, як правило, наявність нелінійних явищ викликає нелокальні явища й навпаки.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.255

Рубрики:

Теплопровідність напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано механізм локалізації тепла в процесі нелінійної еволюції в напівпровідниковому матеріалі, який використовується в елементі електронного ланцюга з фіксованою ЕРС та активним навантаженням. Із застосуванням цього механізму побудовано нелінійну математичну модель формування теплового пробою напівпровідникової плівки. Модель сконструйовано на базі рівняння теплопровідності з розподіленим джерелом. Нелінійність рівняння пов'язана з температурними залежностями електро- та теплопровідності матеріалу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + В379.255

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Теплопровідність напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано установку для вимірювання теплопровідності напівпровідникових матеріалів із використанням методу радіального теплового потоку. Розроблену методику апробовано на термоелектричних зразках плюмбум телуриду.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.255

Рубрики:

Теплопровідність напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.255

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Теплопровідність напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

В роботі використано метод нерівноважної молекулярної динаміки для дослідження впливу деформацій на теплопровідність SiGe гетероструктур з квантовими точками. Для моделювання теплопровідності кремній-германієвих гетероструктур застосовано емпіричні потенціали Стіллінджера - Вебера і Терзофф. Проведено вивчення залежності коефіцієнта теплопровідності від гідростатичної та одновісної деформацій. Показано, що теплопровідність SiGe гетероструктур неперервно зменшується (збільшується) у разі зміни гідростатичної (одновісної) деформації від деформації стиснення до деформації розтягу. Для з'ясування фундаментальних фізичних механізмів проаналізовано швидкості та теплоємність, пов'язані з фононними модами. Також розраховано теплопровідність SiGe гетероструктур за T = 300 К з різним об'ємним вмістом квантових точок. Встановлено, що теплопровідність гетероструктур нелінійно зменшується у разі зростання об'ємної частки нановключень. Одержаний результат пояснюється зростанням ймовірності фононного розсіювання на границях поділу. Виявлені в роботі закономірності є важливими для термоелектричних застосувань SiGe гетероструктур з квантовими точками.

Проаналізовано фактори, що впливають на величину коефіцієнта теплопровідності термоелектричних матеріалів на основі телуриду свинцю, отриманих методом пресування порошку. Наведено модель і визначено її параметри, що якісно та кількісно пояснює температурні залежності коефіцієнта теплопровідності PbTe та PbSnAgTe.

Індекс рубрикатора НБУВ: К230.63 + В379.255

Рубрики:

Фізичні властивості кольорових металів і сплавів

Теплопровідність напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Л719.945 + В371.212 в641 + В379.255 в641

Рубрики:

Вугільні пластики та графітопласти

Напівпровідникові наноструктури

Теплопровідність напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Шляхом розв'язання рівняння теплопровідності для циліндричного та щілинного контейнерів показано, що за однієї і тієї ж питомої потужності нагрівника і однієї і тієї ж температури зовнішніх стінок контейнера поперечний градієнт температури у розплаві тим більший, чим більшим є діаметр циліндричного або ширина щілинного контейнера. Окрім того показано, що в ідеалізованому випадку фронт кристалізації в разі застосування циліндричного контейнера має форму параболоїда обертання, а в разі застосування щілинного контейнера - форму параболічного циліндра з твірними, паралельними до довгої сторони поперечного перерізу контейнера, яка істотно ближча до плоскої. Але діаметр циліндричного контейнера різко зменшити не можна, в той час, як ширину щілини щілинного контейнера можна зменшити до мінімальної величини, яка є технологічно прийнятною для подальшого розрізання отриманої монокристалічної пластини у вигляді прямокутного паралелепіпеда на гілки. Ця обставина разом з можливістю обертання печі Бріджмена навколо вертикальної вісі з оптимальною кутовою швидкістю з метою згладжування поперечного градієнту температури дає можливість за умови застосування щілинних контейнерів максимально наблизити форму фронту кристалізації до плоскої, і, отже, домогтися максимальної паралельності площин спайності монокристалу до широких граней контейнера та максимальної однорідності розподілу легуючих домішок в отриманому монокристалі.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224,022 + В379.255,022

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Теплопровідність напівпровідників

Шифр НБУВ: РА430455 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Роботу присвячено експериментальним дослідженням особливостей теплового транспорту в напівпровідникових структурах на основі поруватого кремнію (ПК) фотоакустичними (ФА) газомікрофонними методами. Запропоновано модель формування ФА відгуку в структурах з різною конфігурацією пор при застосуванні ФА методів у фронтальній конфігурації, яка дозволяє визначити їх коефіцієнт теплопровідності (ТП) в більш широкому діапазоні значень, ніж модель "критичної частоти". Встановлено, що збільшення рівня легування вихідних пластин кремнію на 4 порядки зменшує ТП утвореного масиву нанониток у 25 разів. Показано, що приріст ТП при інкорпоруванні рідини в пори у системах з фрактальною морфологією значно вищий, ніж у системах з впорядкованою структурою. Експериментально встановлено залежність ТП аморфізованого ПК різної поруватості від частки аморфізації. Показано, що застосування ФА методу дає змогу визначити коефіцієнт ТП зразків з високими значеннями поруватості та частки аморфізації (>70 %). Експериментально отримано залежність ТП мультишарової системи на основі ПК від просторового розподілу періодично розташованих субмікронних шарів ПК різної поруватості. Запропоновано модель, яка зазначає наявність теплового опору інтерфейсу між шарами ПК різної поруватості. Отримано залежність величини цього опору від різниці поруватості між шарами ПК.