Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Автореферати дисертацій (15) | Книжкові видання та компакт-диски (107) |
Пошуковий запит: (<.>U=В379.251$<.>) | |||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 211 Представлено документи з 1 до 20 |
|||||
| |||||
| 1. | Андрухив А. М. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов Zn Cd Hg . Te : Дис...канд. физ.- мат. наук: 01.04.10 / А. М. Андрухив; РАН, Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе. - СПб., 1992. - 122 c. - рус.
Шифр НБУВ: ДС47808 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 2. | Андрухив А. М. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов Zn Cd Hg . Te : Дис...канд. физ.- мат. наук: 01.04.10 / А. М. Андрухив; РАН, Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе. - СПб., 1992. - 122 c. - рус.
Шифр НБУВ: ДС47808 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 3. | Шепель Л. Г. Влияние вакуум-термической обработки теплового узла на концентрацию остаточного углерода в GaAs при выращивании кристаллов методом Чохральского / Л. Г. Шепель // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 216-219. - Библиогр.: 7 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 4. | Москвін П. П. Термодинаміка і кінетика фазоутворення в багатокомпонентних напівпровідникових системах : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07 / П. П. Москвін; Київ. ун-т ім. Т.Шевченка. - К., 1999. - 32 c. - укp. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА304666 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 5. | Рибак О. В. Розробка технології вирощування і властивості монокристалів PbIsub2/sub, легованих Ag, Cu, Cd, Mn, Fe, Ni : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01 / О. В. Рибак; Держ. ун-т "Львів. політехніка". - Л., 1999. - 19 c. - укp. - рус.
Шифр НБУВ: РА306294 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 6. | Курак В. В. Гетероструктури Alsubx/subGasub1 - x/subAs - GaAs для ФЕП слабоконцентрованого сонячного випромінювання : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / В. В. Курак; Херсон. держ. техн. ун-т. - Херсон, 1999. - 19 c. - укp.
Шифр НБУВ: РА307200 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 7. | Червоний І. Ф. Наукове обгрунтування і розробка технології монокристалів кремнію методом спеціальної електрометалургії (безтигельною зонною плавкою) : Автореф. дис... д- ра техн. наук : 05.16.03 / І. Ф. Червоний; Запоріз. держ. інж. акад. - Запоріжжя, 1999. - 35 c. - укp. - рус. Дисертація присвячена питанням вирощування методом безтигельної зонної плавки високоякісних бездислокаційних монокристалів кремнію великого діаметра. Розглядаються нові напрямки щодо створення оптимальних теплових умов та режимів вирощування, запропоновані нові рішення теплових систем і пристрої для відтворюваного і стійкого вирощування та легування монокристалів кремнію. Встановлені числові методи визначення режимів очистки і легування стрижнів кремнію і розроблений критерій оцінки їх придатності для одержання монокристалів заданої якості. Запропонована нова теорія утворення мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію, основана на взаємодії точкових дефектів і атомів домішок. Встановлено, що мікродефекти A- і D-типу мають різну фізичну природу і їхнє утворення залежить від умов вирощування монокристалів. Представлено розробку технології бездислокаційних монокристалів кремнію діаметром 105 мм.  Скачати повний текстІндекс рубрикатора НБУВ: К345.5 + В379.251.4 Рубрики: Шифр НБУВ: РА303597 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 8. | Туров В. В. Нові можливості керування фазовим переходом метал - напівпровідник в діоксиді ванадію / В. В. Туров, П. П. Горбик, І. В. Лагута, В. М. Огенко // Доп. НАН України. - 1999. - № 1. - С. 82-86. - Бібліогр.: 11 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 9. | Dubovik M. F. Study of specific features of lanthanum, gallium and silicon oxides interaction in the course of lanthanum gallosilicate Lasub3/subGasub5/subSiOsub14/sub / M. F. Dubovik, T. I. Korshikova, E. M. Proskurnya // Functional Materials. - 1999. - 6, № 1. - С. 92-95. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 10. | Патон Б. Е. Бестигельная зонная плавка монокристаллов кремния с помощью электронного луча / Б. Е. Патон, Е. А. Аснис, С. П. Заболотин, П. И. Баранский, В. М. Бабич, М. Я. Скороход // Доп. НАН України. - 1999. - № 7. - С. 108-112. - Библиогр.: 7 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 11. | Нащекіна О. М. Фазові переходи в кристалах і плівках SnTe та надгратках SnTe/ PbTe : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / О. М. Нащекіна; Харк. держ. ун-т. - Х., 1999. - 19 c. - укp. Роботу присвячено комплексному дослідженню температурних нестабільностей фізичних властивостей (параметра елементарної комірки, КТР, електропровідності, коефіцієнта Холла, рухливості носіїв заряду) в об'ємних кристалах і плівках SnTe та надгратках SnTe/PbTe з метою встановлення впливу дефектів нестехіометрії та інших факторів на характеристики сегнетоелектричного фазового переходу (СФП), виявлення фазових переходів (ФП), зумовлених взаємодією дефектів нестехіометрії між собою, а також встановлення специфіки прояву ФП в тонких шарах SnTe і надгратках SnTe/PbTe. У кристалах та тонких плівках SnTe з високою концентрацією катіонних вакансій крім відомого СФП спостерігаються, принаймні, ще два ФП в інтервалах 135 і 150 та 200 - 215 К, які напевно, пов'язані з процесами перебудови дефектної підсистеми кристала. Характер прояву цих ФП залежить від концентрації власних дефектів та кінетичних факторів (швидкості нагріву-охолодження тощо). Показано, що прояв СФП, властивого SnTe, у надгратках SnTe/PbTe істотно залежить від орієнтації росту шарів. У надгратках SnTe/PbTe з напруженими шарами виявлено надпровідний перехід з критичною температурою ~ 3,4 К. Введення дислокацій невідповідності у міжфазну межу SnTe/PbTe призводить до пригнічення надпровідності. Скачати повний текстІндекс рубрикатора НБУВ: В379.226,022 + В379.251,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА306482 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 12. | Shcherbak L. P. Pre- and postmelting of cadmium telluride / L. P. Shcherbak, P. I. Feichouk, Yu. A. Plevachouk, O. V. Kopach, L. T. Turyanska // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 76-80. - Бібліогр.: 21 назв. - англ. Методами диференціально-термічного аналізу (ДТА) та вимірів електропровідності в інтервалі температур 1323 - 1473 К показано сходинкоподібний характер процесу плавлення телуриду кадмію. Відповідно до результатів ДТА параметри процесу плавлення CdTe визначаються процесами передплавлення, пов'язаними з дефектоутворенням у гратці кристала, а процеси кристалізації визначаються станом (структурою) розплаву, який залежить від його максимальної температури. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 13. | Фита И. М. Переход полупроводник-сверхпроводник в NdBaCuO, управляемый внешним давлением через механизм кислородного упорядочения / И. М. Фита // Физика и техника высоких давлений. - 1999. - 9, № 2. - С. 14-20. - Библиогр.: 21 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 14. | Савицький А. В. Фізико-хімічні основи матеріалознавства напівпровідників : Навч. посіб. / А. В. Савицький; Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці : Рута, 1999. - 102 c. - Бібліогр.: 9 назв. - укp. Викладено фізико-хімічні основи матеріалознавства основних кристалічних неорганічних речовин, які найбільше використовуються в електронній техніці. Розглянуто основні термодинамічні співвідношення, необхідні для вивчення властивостей розчинів та процесів фазових переходів у одно- і двокомпонентних системах, а також послідовно описано діаграми фазових рівноваг подібних систем. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251 я73-1 + З843.3 я73-1 + Г116.7 я73-1 Рубрики: Шифр НБУВ: ВА594782 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 15. | Avramenko S. F. Investigation of structural perfection of SiC ingots grown by a sublimation method = Дослідження структурно-досконалих злитків SiC, вирощених сублімаційним методом / S. F. Avramenko, V. S. Kiselev, M. Ya. Valakh, V. G. Visotski // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 76-79. - Библиогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 16. | Kaganovich E. B. Interface electronic properties of heterojunctions based on nanocrystalline silicon = Граничні електронні властивості гетеропереходів на основі нанокристалічного кремнію / E. B. Kaganovich, S. I. Kirillova, E. G. Manoilov, V. E. Primachenko, S. V. Svechnikov // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 11-14. - Библиогр.: 14 назв. - англ. Для вивчення електронних властивостей гетеропереходів Si нанокристалічна (nc-Si) плівка / Si монокристал (c-Si) використано метод температурних залежностей поверхневої фото-ерс. Досліджено два типи зразків, одержаних лазерною абляцією c-Si мішені з осадженням nc-Si плівок на підкладки, віддалені від мішені, та на площину мішені. Розраховано температурні залежності концентрації носіїв заряду, захоплених на пастки межі поділу гетеропереходу, розподіл густини граничних електронних станів за енергією. З'ясовуються зв'язки між умовами одержання гетеропереходів та їх граничними електронними властивостями. Ключ. слова: silicon, nanocomposite, boundary electronic states, surface photovoltage Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 17. | Баран Н. П. Исследование процесса старения пористого кремния / Н. П. Баран, Б. М. Булах, Б. Р. Джумаев, Н. Е. Корсунская, Г. Полисский, Т. В. Торчинская, Л. Ю. Хоменкова // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 3. - С. 394-398. - Библиогр.: 18 назв. - рус. Методами електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) та фотолюмінесценції (ФЛ) досліджено процес зменшення інтенсивності ФЛ пористого кремнію при старінні. Підтверджено його зв'язок з десорбцією будь-якого об'єкту з поверхні пористого шару. Показано, що енергія активації набагато менше енергії зв'язків Si - Si та Si - H. Встановлено, що при десорбції утворюються два ЕПР-центри, які є поверхневими центрами кремнієвого окису. Показано, що зменшення інтенсивності ФЛ зумовлено не лише зростанням центрів безвипромінювальної рекомбінації, але і зменшенням концентрації центрів поглинання світла, яке збуджує люмінесценцію, та/або центрів випромінювання. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251.4 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 18. | Червоный И. Ф. Индукционная бестигельная зонная плавка кристаллов кремния большого диаметра / И. Ф. Червоный // Пробл. спец. электрометаллургии. - 1999. - № 3. - С. 38-42. - Библиогр.: 6 назв. - рус. В процесі вирощування кремнію методом безтигельної зонної плавки використовуються різні види індукційних систем. Описано умови стійкого і відтворюваного процесу вирощування монокристалів кремнію у середовищі аргону. Розглянуто основні параметри, що характеризують процес індукційної безтигельної зонної плавки. Показано значний вплив форми та конструкції індуктора на відтворюваність вирощування монокристалів. Наведені найбільш оптимальні конструкції індукційних систем, що забезпечують відтворюваність вирощування у середовищі аргону монокристалів кремнію діаметром 100 мм і більше. Ключ. слова: индуктор, монокристалл, бестигельная зонная плавка, кремний, зона расплава Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251 + К345.5 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж14257 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 19. | Тетьоркін В. В. Край поглинання варізонних плівок Hgsub1 - ix/i; /subCdsub; ix/i; /subTe, вирощених методом рідкофазної епітаксії / В. В. Тетьоркін, З. Ф. Івасів, Ф. Ф. Сизов // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 9. - С. 1128-1132. - Бібліогр.: 23 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 20. | Сопінський М. В. Вплив умов отримання плівок PbIsub2/sub на їх структуру та фотостимульовану коагуляцію міді в системах PbIsub2/sub - Сu / М. В. Сопінський // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1999. - Вып. 34. - С. 78-85. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| |||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського