Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>TJ=Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 40
Представлено документи з 1 до 20
...
      
Категорія:    
1.

Kononchuk G. L. 
Polarization unstabilities in a quasi-isotropic He-Ne laser in axial magnetic field = Поляризаційні нестабільності в квазі-ізотропному He-Ne лазері в аксіальному магнітному полі / G. L. Kononchuk, S. M. Yegorov // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 36-41. - Библиогр.: 3 назв. - англ.

На основі загальної моделі Лемба отримано систему шести зчеплених нелінійних диференціальних рівнянь, яка описує двомодову генерацію He-Ne лазера з lambda = 0,63 mu m у зовнішньому магнітному полі з урахуванням анізотропії резонатора. Проведено чисельне інтегрування системи методом Рунге-Кутта та аналіз стійкості за Ляпуновим. З'ясовано, що при нульовому магнітному полі за наявності амплітудної анізотропії резонатора можливі як стійкі стаціонарні стани з паралельними або ортогональними лінійними поляризаціями мод, так і нестаціонарний режим. Розглянуто явища повороту площин поляризації та порушення їхньої ортогональності в магнітному полі. Обговорено роль міжмодової взаємодії в описаних явищах.


Ключ. слова: anisotropy, He-Ne laser, magnetic field, polarization unstability
Індекс рубрикатора НБУВ: В343.14 + З845.7

Рубрики:
 Когерентна оптика. Лазерна оптика, лазерна поляриметрія 
 Хвилевідні лінії передачі. Хвилеводи та об'ємні резонатори 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
2.

Movchan S.  
Photosensitive heterostructures CdTe-PbTe prepared by hot-wall technique = Фоточутливі гетероструктури CdTe-PbTe, виготовлені методом "гарячої стінки" / S. Movchan, F. Sizov, V. Tetyorkin // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 84-87. - Библиогр.: 9 назв. - англ.


Ключ. слова: narrow-gap semiconductors, heterostructures, photoresponse spectra, carrier transport mechanisms
Індекс рубрикатора НБУВ: З852

Рубрики:
 Напівпровідникові прилади 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Belyaev A. A. 
Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes = Радіаційна стійкість резонансно-тунельних діодiв на основі гетероструктур AlAs/GaAs / A. A. Belyaev, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, S. A. Vitusevich, V.V. Milenin, E. A. Soloviev, L. N. Kravchenko, T. Figielski, T. Wosinski, A. Makosa // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 98-101. - Библиогр.: 19 назв. - англ.


Ключ. слова: резонансне тунелювання, gamma-випромiнювання, дефекти
Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122

Рубрики:
 Приймально-підсилювальні лампи 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Indutnyi I. Z. 
Relaxation of photodarkening in SiO - Assub2/sub(S,Se)sub3/sub composite layers = Релаксація фотопотемніння у композитних шарах SiO - Assub2/sub(S,Se)sub3/sub / I. Z. Indutnyi, P. E. Shepeliavyi, V. I. Indutnyi // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 59-62. - Библиогр.: 11 назв. - англ.


Ключ. слова: photodarkening, chalcogenide glasses, nanoparticles, SiO-As_2S_3, SiO-As_2Se_3
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:
 Дефекти напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
5.

Stronski A. V. 
Raman spectra of Ag- and Cu- photodoped chalcogenide films = Спектри комбінаційного розсіювання у халькогенідних плівках, фотолегованих сріблом та міддю / A. V. Stronski, M. Vlchek, A. I. Stetsun, A. Sklenar, P. E. Shepeliavyi // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 63-68. - Библиогр.: 37 назв. - англ.


Ключ. слова: arsenic chacogenides, thin films, photodoping, Raman spectroscopy
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:
 Фізика напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
6.

Boyko O. V. 
Iodine-stabilized He-Ne laser pumped by transverse rf-discharge = Йодностабілізований He-Ne лазер з накачкою поперечним високочастотним розрядом / O. V. Boyko, A. M. Negriyko, L. P. Yatsenko // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 133-141. - Библиогр.: 17 назв. - англ.


Ключ. слова: He-Ne лазер, зсув частоти, стабiлiзацiя частоти, асиметрiя резонансу.
Індекс рубрикатора НБУВ: В343.14 + З86-53-048

Рубрики:
 Когерентна оптика. Лазерна оптика, лазерна поляриметрія 
 Квантова електроніка (радіофізика, радіотехніка) 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
7.

Avramenko S. F. 
Investigation of structural perfection of SiC ingots grown by a sublimation method = Дослідження структурно-досконалих злитків SiC, вирощених сублімаційним методом / S. F. Avramenko, V. S. Kiselev, M. Ya. Valakh, V. G. Visotski // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 76-79. - Библиогр.: 11 назв. - англ.


Ключ. слова: карбiд кремнiю, модифiкований метод Лелi, комбiнацiйне розсiювання, дефекти
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251

Рубрики:
  Фазові рівноваги. Фазові перетворення 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
8.

Sachenko A. V. 
On the collection of photocurrent in solar cells with a contact grid = Про збирання фотоструму в сонячних елементах із контактною сіткою / A. V. Sachenko, A. P. Gorban // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 42-44. - Библиогр.: 7 назв. - англ.


Ключ. слова: photocurrent collection, contact grid, specific power of photoconversion
Індекс рубрикатора НБУВ: З854

Рубрики:
 Фотоелектричні прилади.Фотоелементи 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
9.

Mazur Yu. I. 
Photoluminescence excitation spectroscopy in narrow - gap Hgi; sub1-x-y/sub; /iCdi; subx/sub; /iMni; suby/i; /subTe = Спектри збудження фотолюмінесценції у вузькозонному твердому розчині Hgi; sub1-x-y/sub; /iCdi; subx/sub; /iMni; suby/i; /subTe / Yu. I. Mazur // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 35-41. - Библиогр.: 28 назв. - англ.


Ключ. слова: збудження фотолюмiнесценцiї, "гарячий екситон", положення монiтора, поздовжнiй оптичний фонон
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223

Рубрики:
 Тверді розчини напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
10.

Vitusevich S. A. 
Optically controlled 2D tunnelling in GaAs delta-doped ip-n/i junction = Оптично кероване тунелювання 2D носіїв в дельта легованих GaAs ip-n/i переходах / S. A. Vitusevich, A. Forster, A. E. Belyaev, B. A. Glavin, K. M. Indlekofer, H. Luth, R. V. Konakova // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 7-10. - Библиогр.: 11 назв. - англ.


Ключ. слова: тунельний дiод, 2D електрони, дельта-легування
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:
 Електричні властивості 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
11.

Snopok B. A. 
Thin films of organic molecular crystals (OMC) possessing type B lattice: spatial structure of dibenzotetraazaannulene film is related to its thickness = Тонкі плівки органічних молекулярних кристалів, що мають гратку типу В: залежність просторової структури плівки дібензотетраазааннулену від її товщини / B. A. Snopok, Ya. D. Lampeka // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 69-72. - Библиогр.: 12 назв. - англ.

На основі аналізу оптичних та дифрактометричних властивостей тонких плівок показано, що при значній різниці між температурою сублімації та температурою підкладки ( > 200 К) дібензотетраазааннулен формує орієнтовані плівки, будова яких залежить від товщини. Цей ефект інтерпретовано з використанням уявлень про зміну градієнта температури під час формування плівки. Значний внесок у формування кінцевої структури дають також дифузійні процеси та перевипаровування малих кристалітів.


Ключ. слова: molecular crystals, thin films, growth mechanism, organic semiconductors, thermovacuum deposition, layered solids, type B lattice
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + Г522.2

Рубрики:
 Тонкі шари твердих тіл 
 Кристалічні структури органічних сполук 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
12.

Serdega B. K 
Thermoelasticity in Ge due to nonuniform distribution of doping impurity studied by light polarization modulation technique = Термопружність у Ge, що зумовлена неоднорідністю легуючої домішки, досліджена методом поляризаційної модуляції випромінювання / B. K Serdega, Ye. F. Venger, Ye. V. Nikitenko // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 153-156. - Библиогр.: 7 назв. - англ.


Ключ. слова: подвiйне променезаломлення, поляризацiя, модуляцiя, фотонапруга, анiзотропiя, термiчна напруга
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:
 Дефекти напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
13.

Kryshtab T. G. 
TiBsub2/sub/GaAs and Au - TiBsub2/sub/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment = Структурні перетворення при короткочасній термічній обробці структур TiBsub2/sub/GaAs та Au - TiBsub2/sub/GaAs / T. G. Kryshtab, P. M. Lytvyn, M. O. Mazin, O. S. Lytvyn, I. V. Prokopenko, V. N. Ivanov // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 73-77. - Библиогр.: 8 назв. - англ.


Ключ. слова: TiB_2 film, GaAs, short-term annealing, diffusion barrier, structural defects
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:
 Структура напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
14.

Sizov F. F. 
IR sensor readout devices with source input circuits = Прилади для зчитування інформації з ІК - сенсорами як джерелами сигналу у вхідних колах / F. F. Sizov, V. P Reva, Yu. P. Derkach, Yu. G. Kononenko, A.G. Golenkov, S. V. Korinets, S. D. Darchuk, D. A. Filenko // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 102-110. - Библиогр.: 17 назв. - англ.


Ключ. слова: прилади з зарядовим зв`язком для зчитування, скiмiнг, режим дiлення, часова затримка та накопичення, лiнiйка КРТ-дiодiв
Індекс рубрикатора НБУВ: З8/З99 |З854

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
15.

Ishchenko S.  
ENDOR study of irradiated tooth enamel = ПЕЯР опроміненої зубної емалі / S. Ishchenko, I. Vorona, S. Okulov // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 84-92. - Библиогр.: 29 назв. - англ.


Ключ. слова: зубна емаль, подвiйний електронно-ядерний резонанс, радiацiйно-iндукований електронний парамагнiтний резонанс
Індекс рубрикатора НБУВ: Р361.3

Рубрики:
 Дія іонізуючого випромінювання на систему травлення, печінку 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
16.

Kulish N. R. 
Self-consistent method for optimization of parameters of diode temperature sensors = Самоузгоджений метод оптимізації параметрів діодних сенсорів температури / N. R. Kulish, Yu. M. Shwarts, V. L. Borblik, Ye. F. Venger, V. N. Sokolov // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 15-27. - Библиогр.: 24 назв. - англ.


Ключ. слова: temperature, sensor, р+n- junction, ideality factor, thermometric characteristic, sensitivity
Індекс рубрикатора НБУВ: З322-52

Рубрики:
 Вимірювання температури (термометрія) 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
17.

Mitin V. F. 
Resistance thermometers based on the germanium films = Термометри опору на базі плівок германію / V. F. Mitin // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 115-123. - Библиогр.: 17 назв. - англ.

Наведено та узагальнено останні досягнення у галузі розробки термометрів на базі плівок германію на арсеніді галію. Розглянуто основні моделі плівок германієвих термометрів, що охоплюють діапазон вимірюваних температур від 0,02 до 500 К. Наведено характеристики термометрів у сильних магнітних полях, а також під впливом іонізуючого випромінювання (нейтрони та gamma-кванти).


Ключ. слова: термометри, сенсори температури, германiєвi плiвки
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25 + В365.51

Рубрики:
 Термодинаміка напівпровідників 
 Зміна агрегатного стану 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
18.

Litovchenko P. G. 
Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons = Напівпровідникові сенсори для дозиметрії епітермальних нейтронів / P. G. Litovchenko, R. Moss, F. Stecher-Rasmussen, K. Appelman, L. I. Barabash, T. I. Kibkalo, V. F. Lastovetsky, A. P. Litovchenko, M. B. Pinkovska // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 90-91. - Библиогр.: 4 назв. - англ.


Ключ. слова: dosimetry, semiconductor detectors, epithermal neutrons, silicon, converter
Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592

Рубрики:
 Напівпровідникові детектори і спектрометри 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
19.

Datsenko L. I. 
Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing = Зміни структурної досконалості кристалів кремнію, вирощених методами Чохральського та безтигельної зонної плавки, після імплантації атомами кисню та неону з подальшим відпалом / L. I. Datsenko // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 56-61. - Библиогр.: 9 назв. - англ.


Ключ. слова: кремній, вирощений методом Чохральського та плаваючої зони, преципітати SiOx, радіаційні пошкодження, іони кисню та неону, брег-дифракція рентгенівських променів, коефіцієнт відбивання, статичний фактор Дебая-Валлєра
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:
 Структурний аналіз напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
20.

Rengevych O. V. 
Separate determination of thickness and optical parameters by surface plasmon resonance: accuracy consideration = Роздільне визначення товщини та оптичних параметрів за допомогою поверхневого плазмонного резонансу: обговорення точності методу / O. V. Rengevych, Yu. M. Shirshov, Yu. V. Ushenin, A. G. Beketov // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 28-35. - Библиогр.: 28 назв. - англ.


Ключ. слова: surface plasmon resonance, optical sensors, optical constants
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:
 Структура напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

...
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського