Індекс рубрикатора НБУВ: Р733.415.202.831-3

Рубрики:

Рахіт

Шифр НБУВ: ДС41582 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Р733.415.202.831-3

Рубрики:

Рахіт

Шифр НБУВ: ДС41582 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Р733.415.202.831-3

Рубрики:

Рахіт

Шифр НБУВ: ДС41582 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Р733.415.202.831-3

Рубрики:

Рахіт

Шифр НБУВ: ДС41582 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто так звані інтегральні (усереднені в певному об'ємі кристала) характеристики структурної досконалості кристалічного середовища - статичний фактор Дебая - Валлера та коефіцієнт поглинання за рахунок розсіювання X-променів на дефектах структури різної природи, які дозволяють визначити реальну будову монокристала на кількісному рівні. Розглянуто методи їх дослідження, що грунтуються на висновках динамічної теорії розсіювання X-променів реальними кристалами.

Розроблено структуру банку даних еколого-геохімічної інформації. Запропоновано модель комп'ютерної геохімічної карти розповсюдження рухомих форм токсичних елементів в грунтових відкладах на прикладі Київської обл.

Ключ. слова: дифракция, рентгеновские лучи, квазизапрещенные отражения, маятниковые осцилляции интенсивности
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: маятниковые осцилляции интенсивности, квазизапрещенные рефлексы, дифракция рентгеновских лучей
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24-1

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.134

Рубрики:

Дифракція рентгенівських променів в кристалах

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Работа посвящена вопросам исследования теоретико-методических основ эколого-географического картографирования с использованием современных технических средств и ГИС-технологий. Во время проведения исследования была разработана методика классификации, сбора, упорядочения, периодического обновления и анализа разнородных по форме и содержанию данных в соответствии с созданной структурой формирования геоинформационной базы данных. Важным результатом научно-практического исследования стала разработка методики создания технологической схемы автоматизированной картографической информационной системы для экологических исследований и ее апробация на примере эколого-геохимических исследований почв Киевской области.

Індекс рубрикатора НБУВ: Е169.116

Рубрики:

Викопні Mollusca. Викопні молюски

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено питання розробки теоретико-методичних основ еколого-географічного картографування з використанням сучасних технічних засобів та ГІС-технологій (на прикладі Київщини), створення автоматизованої картографічної інформаційної системи з можливістю картографічного відображення екологічної ситуації. Під час проведення дослідження висвітлено методику класифікації, збирання, упорядкування, періодичного оновлення та аналізу різнорідних за формою та змістом даних відповідно до створеної структури формування геоінформаційної бази даних. Розроблено методику створення технологічної схеми автоматизованої картографо-інформаційної системи для екологічних досліджень, виконано її апробацію на прикладі вивчення грунтів Київщини. За результатами картографічного модельного експерименту розроблено карти поширення зон найбільшого ризику і можливих зон накопичення забруднюючих елементів та їх сполук в електронній та друкованій версіях.

Методом комп'ютерного моделювання планарних дефектів та шляхом розв'язування рівнянь Такагі - Топена досліджено топологію екстинкційних маятникових смуг інтенсивності в трикутнику Бормана в геометрії бреггівської дифракції. У випадках тонкого та товстого шарів з плоскими межами, а також для шорсткого планарного дефекту з неоднорідно розподіленими вздовж поверхні дефектами кулонівського типу (захороненим шаром точкових дефектів, які виникають за імплантації кремнію високоенергетичними іонами) виявлено особливості дифракції РП на межі дефекту. Встановлені явища багаторазового відбиття блохівських хвиль від поверхні дефекту, каналізування енергії хвильових полів вздовж межі поділу, явище аномальної видимості дефектів, розташованих поза трикутником Бормана. Показано існування незалежних сплесків інтенсивності від меж планарного дефекту в просторовому розподілі інтенсивності дифрагованого випромінювання по поверхні кристала, що допомагає визначити положення планарних дефектів.

Ключ. слова: динамическая дифракция, квазизапрещенные отражения, нестехиометрия, кулоновские дефекты, когерентное и диффузное рассеяние, рентгеновские лучи
Індекс рубрикатора НБУВ: В346.3

Рубрики:

Оптичні явища

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

З використанням трикристальної рентгенівської дифрактометрії досліджено тонкі плівки арсеніду галію. Встановлено, що для епітаксійних систем, як і для монокристалів, інтенсивність дифракції рентгенівських променів можна розділити на когерентну та дифузну складові. Комплексний аналіз характеру дифузного розсіювання (ДР) плівками GaAs, сильно легованими кремнієм, з використанням дифрактометрії високої роздільної здатності дозволив виявити в них мікродефекти різних розмірів і концентрацій, а також визначити їх тип. Уперше здійснено якісне порівняння експериментальних і розрахункових карт ізоліній ДР навколо вузлів структурного та квазізабороненого рефлексів. В окремих випадках (для перетинів просторового розподілу ДР) отримано кількісне узгодження теорії та експерименту.

By the method of double-crystal X-ray diffractometry, we have studied the influence of mechanical stresses caused by ion implantation and by grinding one of the surfaces of crystals GaAs on the redistribution of point defects in the near-surface region. The nonmonotone character of a relaxation of deformations in the system "implanted layer - matrix - polish layer", which consists in different displacement speeds of point defects in the fields of elastic deformations, is explained.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Узагальнено результати експериментальних і теоретичних досліджень параметрів дефектної структури та композиційного складу (нестехіометрії) реальних бінарних кристалів, одержані під час аналізу інтегральних відбивних здатностей (ІВЗ), так званих, квазізаборонених відбиттів в області довжин хвиль безперервного спектра рентгенівських променів, де істотними є ефекти аномальної дисперсії. Проаналізовано товщинні й енергетичні (від довжини хвиль) залежності ІВЗ за допомогою статистичної динамічної теорії, яка не нехтує уявною частиною коефіцієнта Фур'є поляризованості в порівнянні з величиною дійсної частини цього параметра. Вперше одночасно одержано параметри структурної досконалості та величину відхилення будови кристала від стехіометричного стану, що свідчить про перевагу динамічного підходу для інтерпретації даних у порівнянні із застосуванням уявлення про можливість використання кінематичної теорії розсіювання.

Обоснованы возможность и целесообразность использования динамического рассеяния рентгеновских лучей в области длины волн непрерывного спектра, где наблюдаются явления аномальной дисперсии, для количественного анализа структурного состояния реальных кристаллов. Проанализированы результаты исследования рассеяния рентгеновских лучей совершенными кристаллами в области аномальной дисперсии, в частности, уникальной ситуации равенства нулю действительной части коэффициентов фурье-поляризуемости. Рассмотрены особенности определения статистического фактора Дебая - Валлера и коэффициента экстинкции при диффузном рассеянии рентгеновских лучей для структурных рефлексов и параметра нестехиометричности реальных бинарных кристаллов для сверхструктурных отражений при анализе зависимостей интегральной отражающей способности от толщины кристалла и длины волны (энергии). Описан комплекс неразрушающих методов определения структурных и композиционных характеристик, определяемых с высокой степенью достоверности с помощью однокристального спектрометра.