Скачати повний текст

Досліджено механізми перенесення заряду під час переходу метал-неметал в іонно-електронних розплавах з домішками перехідних металів. У даних розчинах механізм розсіювання електронів змінюється від слабкого до сильного. В широкому інтервалі температур і тисків проведено експериментальні дослідження електропровідності і термоелектрорушійної сили. Запропоновано фізичні моделі, які дозволяють пояснити електронну структуру, електрофізичні та структурно-чутливі властивості під час переходу метал - неметал в іонно-електронних розплавах, а також механізми розсіювання електронів в системах з різним типом взаємодії. Вивчено та рекомендовано до використання як припоїв сплави на основі олова, які, на відміну від сплавів на основі свинцю, є екологічно безпечними.

  Скачати повний текст

Відзначено, що цей ефект сильніше виявляється у плівкових зразках. Проведено порівняння впливу тиску та магнітного поля на транспортні властивості керамічних і плівкових зразків манганітів з надлишком марганцю, що мають однакову сполуку. Установлено наявність лінійного підвищення температури Кюрі та більш інтенсивного переходу метал-діелектрик під тиском. Зроблено висновок, що ефекти тиску та магнітного поля більшою мірою виявляються у плівкових зразках, ніж у кераміках. Для манганітів з надлишком марганцю такі дослідження проведено вперше.

  Скачати повний текст

Визначено, що властивості світлочутливої системи халькогенідний склоподібний напівпровідник (ХСН) - метал обумовлює потенціальний бар'єр на межі ХСН - метал, який має гальванічну та електронну складові. Встановлено, що зміна електронної складової бар'єра визначається фотоелектричними процесами у ХСН. Розв'язок рівняння дифузії дає вираз для залежності зміни товщини шару металу d від часу опромінення t, до якого входить ряд факторів (інтенсивність світла, довжина хвилі, температура, попереднє освітлення системи, товщини шарів системи, наявність парів води). Одержаний вигляд d = d(t) визначає залежність світлочутливої системи, її енергії активації, ефективної енергії активації дифузії металу у ХСН від наведених факторів. Вирази, отримані для даних залежностей, пояснюють комплекс експериментальних властивостей системи. Враховано залежність коефіцієнта дифузії металу в ХСН від його концентрації. Обгрунтовано, що процес індукційного періоду кінетики проникнення металу до ХСН обумовлений цією залежністю. Визначено, що експериментально отримані залежності світлочутливості системи від товщини шару металу, напрямку її освітлення та особливості кінетики проникнення металу до ХСН обумовлено скінченністю товщини шарів системи.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено їх фазовий склад, мікроструктуру, електропровідність, вольт-амперні характеристики (ВАХ). Встановлено вплив термоциклювання на електрофізичні властивості даних матеріалів. Вперше виявлено гістерезис і розмірний ефект ВАХ у матеріалах з ФПМН. Одержано аналітичний вираз для ВАХ, який адекватно описує дані ефекти.

  Скачати повний текст

Досліджено деградацію контактно-металізаційної системи на початкових стадіях формування бар'єра Шотткі. Обгрунтовано можливості надійного прогнозування зміни електронних параметрів потенціального бар'єра для межі сформованого поділу. Із використанням резерфордівського зворотного розсіювання, електронної мікроскопії та ренгтеноструктурного аналізу вперше визначено ряд важливих закономірностей досліджуваних систем на поверхні арсеніду галію. Описано схеми устаткування та режими експлуатації установки спектроскопії зоворотнього резерфордівського розсіяння. Досліджено окремі системи металізації, які відрізняються типом антидифузійних шарів - чистих металів, силіцидів і боридів зі збереженням ідентичних технологічних умов формування контакту в цілому. Проаналізовано експериментальні дані у межах моделей деградації, використаних у науковому дослідженні. Обгрунтовано шляхи оптимізації застосування полікристалічних шарів як стабілізувальних факторів контактно-металізаційної системи.

  Скачати повний текст

Досліджені електрофізичні властивості, структура, елементний та фазовий склад металевих плівок Cr, Ni, Cu, V, Sc в умовах взаємодії з атомами та молекулами залишкової атмосфери або напівпровідникового покриття Ge та Si. Встановлений ефект зменшення температурного коефіцієнта опору та коефіцієнта поздовжньої тензочутливості, що пов'язується зі збільшенням коефіцієнта проходження межі зерна електронами у плівках металів після нанесення покриття та відпалювання.

  Скачати повний текст

Встановлено зростання контактної різниці потенціалів у процесі механічного стискання гетероконтактів GaSe/InSe, що знайшло пояснення під час врахування діелектричного прошарку на межі поділу. Побудовано модель дії одновмісного тиску на границю розділу. Виявлено відмінності форм фотовідгуків гетероконтактів під час дії різних значень одновісного тиску й енергії квантів світла. Вперше виявлено випрямляний ефект гетероструктури n-InSe-мумійо, одержаним шляхом нанесення спиртового розчину молекулярно-дисперсійної речовини мумійо на чисту поверхню пластин напівпровідника InSe.

  Скачати повний текст