РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (14)Автореферати дисертацій (2)
Пошуковий запит: (<.>U=З843.332$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 15
Представлено документи з 1 до 15
1.

Федосюк В. М. Сверхтонкие электролитически осажденные многослойные Co/Cu- и CoNi/Cu-пленки на арсениде галлия. — 2000 // Металлофизика и новейшие технологии.
2.

Ковтун Г. П. Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского. — 2006 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
3.

Rogozin I. V. Thermodynamical analysis of intrinsic defects in gallium nitride. — 2004 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.
4.

Zhirko Yu. I. Excitons in layered p-gase crystals with two-dimension hole gas. — 2004 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.
5.

Ptashchenko O. O. Effect of ammonia vapors on the surface morphology and surface current in p - n-junctions on GaP. — 2005 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.
6.

Миленин В. В. Влияние микроволнового облучения на излучательную рекомбинацию GaAs. — 2006 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
7.

Власкина С. И. Высокоэффективные солнечные элементы на основе арсенида галлия. — 2005 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
8.

Устинов А. И. Особенности формирования пористой структуры хрома при его осаждении из паровой фазы в присутствии паров галогенидов щелочных металлов. — 2006 // Металлофизика и новейшие технологии.
9.

Чернюк О. С. Взаємодія GaSb та GaAs з водними розчинами <$Eroman bold {HNO sub 3~-~HHal}>-органічна кислота : Автореф. дис... канд. хім. наук: 02.00.01. — Л., 2006
10.

Сєліверстова С. Р. Вплив технології вирощування на мікромеханічні властивості епітаксійних структур на основі GaAs : Автореф. дис... канд. техн. наук : 05.27.06. — Херсон, 2000
11.

Хозя П. О. Розробка теплового вузла для вирощування монокристалів GaAs за LEC технологією зі зниженим вмістом структурних дефектів : автореф. дис... канд. техн. наук : 05.27.06. — Кременчук, 2009
12.

Венгер Є. Ф. Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs // Доп. НАН України. - 2007. - № 7.
13.

Фомовський Ф. В. Технології покращення деградаційної стійкості кристалів GaAs, Si та структур і приладів на їх основі : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06. — Кременчук, 2013
14.

Лозінський В. Б. Розробка технологій покращення властивостей оптичних елементів на основі GaAs, діелектричних плівок та сонячних елементів з їх використанням : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06. — Кременчук, 2013
15.

Притчин С. Е. Розробка технології виробництва підкладок арсеніду галію для виробів мікроелектроніки : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.06. — Харків, 2016
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського