Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>I=Ж69219:Фіз.Ел./1998/29<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
| Науковий вісник Чернівецького університету : зб. наук. пр..- Чернівці. Фізика, електроніка Naukovy Visnyk Chernivetskogo Universitetu: Zbirnyk Naukovyh Prats. Fizyka. Elektronika- Титул.
- Зміст.
- Зушман I. М., Раранський М. Д., Ткач М. В. Нарис розвитку фізичних досліджень у Чернівецькому національному університеті ім. Ю.Федьковича. - C. 3-15.
- Ткач М. В, Пронишин І. В., Маханець О. М. Приєднані плоскі хвилі в надгратці циліндричних квантових дротів. - C. 16-20.
- Константинович А. В. Спектр випромінювання заряджених частинок, які рухаються в ізотропному ідеальному феродіелектрику. - C. 21-29.
- Головацький В. А. Електронний i дiрковий спектри перiодичних сферичних наногетероструктур з внутрiшньою потенцiальною ямою. - C. 26-31.
- Гуцул І. В Обчислення двохмірного розподілу температури і термоелектрорушійної сили анізотропного оптикотермоелемента. - C. 32-38.
- Мельничук С. В., Михайлевський Я. М., Раренко І. М., Юрійчук І. М. Зонна структура напівмагнітних твердих розчинів CdxMn1-xTe. - C. 39-44.
- Раренко І. М., Королюк С. Л., Кошкін В. М. Розподіл потенціалу внутрішнього поля в гетеропереході власних напівпровідників. - C. 45-49.
- Гончарук А. Н., Конопальцева Л. І., Раренко І. М., Хіць Ю. А. Допустимі відхилення параметрів дифракційного фокусуючого пристрою. - C. 50-54.
- Раренко А. І. Вплив магнітного поля на процеси формування однорідних напівпровідникових кристалів і шарів з розплавів і розчинів. - C. 55-59.
- Волянська Т. А., Грицюк Б. М., Нічий С. В. Методика та особливості вирощування плівок лазерним випаровуванням в статичному вакуумі. - C. 60-65.
- Юрійчук І.М. Зонна структура короткоперіодичних надграток GaAs/AlAs. - C. 66-70.
- Горлей П. М., Григоришин О. М., Рождественська М. Г. Температурна залежність флуктуацій густини струму у телурі. - C. 71-78.
- Савицький А. В., Ілащук М. І., ПарфенюК О. А., Ульяницький К. С., Бурачек В. Р., Кадельник Д. В. Рівноважні характеристики кристалів CdTe, легованих елементами групи заліза. - C. 79-84.
- Гутаров Е. І., Солончук Л. С., Солончук Я. Л., Хом'як В. В. Скрита енергія деформаційного зміщення телуру при a-ковзанні. - C. 85-91.
- Раранський М. Д., Фодчук І. М., Борча М. Д., Крицун І. І., Міхальов І. В. Аномальне проходження при трьохвильовій рентгенівській дифракції в деформованому приповерхневому шарі. - C. 92-97.
- Махній О. В., Сльотов М. М., Фодчук І. М. Структурні та люмінесцентні властивості гетерошарів α–CdSe. - C. 98-104.
- Євдокименко А. В. Рентгенівська топографія кристалів в області кутів повного зовнішнього відбивання. - C. 105-111.
- Раранський М. Д., Фодчук І. М., Новіков С. М., Коровянко О. Ж., Бобровник С. В., Мармус П. Є. Особливості формування зображення мікродефектів на рентгенівських секційних топограмах. - C. 112-116.
- Косяченко Л. А., Склярчук О. Ф. Оптичне випромінювання кристалічною граткою, збуджуваною гарячими носіями заряду в бар’єрній напівпровідниковій структурі. - C. 117-125.
- Сльотов М. М. Механізми люмінесценції монокристалічних плівок AlxGa1–xN. - C. 126-132.
- Махній В. П., Сльотов М. М., Собіщанський Б. М., Чабан Ю. Я. Фотолюмінесценція кристалів p-ZnSe/Sb/. - C. 133-137.
- Брайловський В. В., Жук О. П. Установка вимірювання вольт-фарадних характеристик. - C. 138-143.
- Брайловський В. В., Іларіонов О. Є., Хандожко О. Г. Підвищення чутливостi давача для ЯКР–термометра. - C. 144-149.
- Брайловський В. В., Жук О. П., Танасюк В. С. Вимірювач параметрів напівпровідникових датчиків нейтронного опромінювання. - C. 150-155.
- Боднарук В. І., Димитращук В. Т., Походжай Р. Я., Щербина Л. А. Вплив гравітації на умови теплообміну. - C. 156-162.
- Буда І. С., Охрем О. А. П’єзоопір вісмута при гелієвих температурах. - C. 163-169.
- Годованюк В. М., Добровольський Ю. Г., Омельянчук В. П. Дослідження кремнієвого P-I-N фотодіоду підвищеної надійності. - C. 170-172.
- Ащеулов А. А., Добровольський Ю. Г., Романюк І. С. Дослідження впливу певних комбінацій електричного та магнітного полів на властивості напівпровідникових приладів. - C. 173-176.
- Слинько Є. І. Зсув Найта і особливості зонної структури в SnTe. - C. 177-182.
- Слинько Є. І., Кондратенко М. М., Водоп’янов В. М., Годованюк В. М., Рюхтін В. В., Фольварочний В. П. Розробка технології виготовлення інфрачервоних фотоприймачів нового покоління. - C. 183-192.
- Рюхтін В. В., Годованюк В. М., Рюхтін В. В. Кремнієвий діод на повздовжньому фотоефекті (LATERAL FD). - C. 193-200.
- Балазюк В. Н., Михальченко В. П., Раранський М. Д., Курек І. Г. Пружні модулі діарсеніду цинка в інтервалі температур 83÷303 К. - C. 201-205.
| 1998 | | Вип. 29
|
|
|
|