 Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>I=Ж24344/2012/10/2<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
 |
Фізична інженерія поверхні : наук. журн..- Харків- Титул.
- Зміст.
- Литовченко С. В., Береснев В. М., Дробышевская А. А., Турбин П. В. Силицидные покрытия на молибдене: получение, структура, свойства. - C. 110-137.
- Братушка С. Н., Соколов С. В. Влияние плазменной обработки и ионной имплантации на свойства и структурно-фазовые изменения в титановых сплавах. - C. 138-161.
- Васильев В. В., Стрельницкий В. Е. Особенности морфологии поверхностей покрытий, наносимых из фильтрованной вакуумно-дуговой катодной плазмы на ферромагнитные подложки. - C. 162-172.
- Глазунов Г. П., Пашнев В. К. Способ диагностики состояния поверхности вакуумной камеры торсатрона Ураган-2М. - C. 173-176.
- Погребняк А. Д., Мухаммед А. К. М., Иващенко М. Н., Опанасюк Н. Н., Суджанская И. В. Структурные исследования пленок оксида цинка и нитрида алюминия, полученных методами CVD и магнетронного распыления. - C. 177-182.
- Сичікова Я. О. Низькорозмірні структури на поверхні фосфіду індію. - C. 183-190.
- Ахмадалиев Б. Ж., Полвонов Б. З., Юлдашев Н. Х. Поляритонная люминесценция в кристаллах типа CdTe c учетом затухания экситонов. - C. 191-199.
- Выжол Ю. А., Козлова Л. Г., Муленко И. А., Хомкин А. Л. Моделирование интенсивности излучения классического гармонического осциллятора в поле случайной силы. - C. 200-206.
- Морушко О. В., Будзуляк І. М., Сегін М. Я., Остафійчук Б. К., Ільницький Р. В., Яблонь Л. С., Кисляк О. Р. Спектри катодолюмінесценції термічно модифікованого ТіО2. - C. 207-210.
- Левенец В. В., Омельник А. П., Щур А. А. Аналитическое представление сечений ионизации К-оболочек лантаноидов ускоренными протонами. - C. 211-216.
- Кирилаш А. И., Симченко С. В., Кидалов В. В. Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия. - C. 217-220.
- Гулямов Г., Шарибаев Н. Ю. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний. - C. 221-225.
- Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Абдулхаев О. А., Каманов Б. М., Гиясова Ф. А. Фототранзистор составной на полевых транзисторах. - C. 226-229.
- Абдулхаев О. А., Гиясова Ф. А., Ёдгорова Д. М., Каманов Б. М., Каримов А. В. Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения. - C. 230-235.
- Правила оформления рукописей. - C. 236-238.
- Тематичні напрямки. - C. 239.
- Вихідні дані.
| 2012 | Т. 10 | № 2
|
|
|
|
Простий
Розширений
