Пошуковий запит: (<.>U=З86-531.8$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 49
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. | ДС55024 Пащенко, Алексей Георгиевич. Разработка математической модели для расчета полупроводниковых квантоворазмерных инжекционных лазеров на основе GaAs/AlGaAs c учетом экситонных эффектов [Текст] : дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / Пащенко Алексей Георгиевич ; Харьковский гос. технический ун-т радиоэлектроники. - Х., 1996. - 199 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Харьковский гос. технический университет радиоэлектроники
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
2. | ДС83023 Иванов, Павел Сергеевич. Влияние модового состава на рабочие характеристики полупроводниковых лазеров с вертикальным резонатором [Текст] : дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / Иванов Павел Сергеевич ; Харьковский национальный ун-т радиоэлектроники. - Х., 2004. - 150 л.: рис. - Библиогр.: л. 136-150Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Харьковский национальный университет радиоэлектроники
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
3. | ДС83854 Артеменко, Олена Сергіївна. Вплив адсорбції молекул аміаку на поверхневі явища в p-n переходах на основі напівпровідників AIIIBV [Текст] : дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Артеменко Олена Сергіївна ; Одеський національний ун-т ім. І.І.Мечникова. - О., 2004. - 150 арк.: рис. - арк. 135-150Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
4. | ДС92891 Мрихін, Ігор Олександрович. Комплексне легування в технології отримання гетероструктур для напівпровідникових інжекційних лазерів на основі GaAs-AlGaAs [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Мрихін Ігор Олександрович ; Національний ун-т "Львівська політехніка". - Л., 2005. - 122 арк.: рис. - арк. 108-122Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Національний університет "Львівська політехніка" (Львів)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
5. | ДС103901 Пашков, Олександр Сергійович. Напівпровідникові лазери з електронним накачуванням на основі сполук груп А2В6, А3В5 з покращеними експлуатаційними характеристиками [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Пашков Олександр Сергійович ; Національний науково-дослідний центр оборонних технологій і воєнної безпеки України. - К., 2007. - 143 арк. - арк. 132-140Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Національний науково-дослідний центр оборонних технологій і воєнної безпеки України
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
6. | ДС106996 Шулика, Алексей Владимирович. Процессы переноса в активных средах полупроводниковых лазеров и оптических усилителей на основе асимметричных многослойных квантово-размерных гетероструктур [Текст] : дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / Шулика Алексей Владимирович ; Харьковский национальный ун-т радиоэлектроники. - Х., 2008. - 182 л.: рис. - Библиогр.: л. 151-182Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Харьковский национальный университет радиоэлектроники
Видання зберігається у :
|
7. | ДС58475 Птащенко, Федор Александрович. Пространственно- неоднородные рекомбинационные процессы и поляризация излучения в лазерных гетероструктурах на основе GaAs-AlGaAs [Текст] : дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Птащенко Федор Александрович ; Одесская гос. морская академия. - О., 1998. - 202 л. - л. 183-195Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Одесская гос. морская академия
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
8. | ДС66796 Лысак, Владимир Валериевич. Влияние нелинейных эффектов усиления на параметры малосигнального режима генерации полупроводниковых лазеров [Текст] : дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / Лысак Владимир Валериевич ; Харьковский гос. технический ун-т радиоэлектроники. - Х., 2000. - 134 л. - л. 121-134Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Харьковский гос. технический университет радиоэлектроники
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
9. | ДС70225 Бондаренко, Дмитро Володимирович. Моделювання динамічних процесів в електроінжекційних напівпровідникових лазерах [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.09.05 / Бондаренко Дмитро Володимирович ; НАН України, Інститут електродинаміки. - К., 2001. - 199 арк.: рис. - арк. 173-179Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Національна академія наук України; Інститут електродинаміки (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
10. | ДС72308 Сухоиванов, Игорь Александрович. Динамические процессы в полупроводниковых лазерах высокоскоростных волоконно-оптических систем [Текст] : дис... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.05 / Сухоиванов Игорь Александрович ; Харьковский национальный ун-т радиоэлектроники. - Х., 2001. - 348 л. - Библиогр.:л.294-329Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Харьковский национальный университет радиоэлектроники
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
11. | РА296722 Пащенко, Олексій Георгійович. Розробка математичної моделі для розрахунку напівпроводникових квантоворозмірних інжекційних лазерів на основі GaAs/AlGaAs з урахуванням екситонних ефектів [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.04 / Пащенко Олексій Георгійович ; Нац. акад. наук України, Ін-т радіофізики і електроніки ім. О. Я. Усикова. - Х., 1997. - 16 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Національна академія наук України; Інститут радіофізики та електроніки імені О. Я. Усикова (Харків)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
12. | РА336081 Капанадзе, Зураб Бидзинович. Получение и исследование эпитаксиальных гетероструктур на основе твердых растворов индий-галлий-мышьяк-сурьма для инжекционных лазеров [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Капанадзе Зураб Бидзинович ; Московский ин-т стали и сплавов. - М., 1992. - 20 с. Для служеб. пользованияРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Московский институт стали и сплавов
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
13. | РА343281 Мрихін, Ігор Олександрович. Комплексне легування в технології отримання гетероструктур для напівпровідникових інжекційних лазерів на основі GaAs-AlGaAs [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Мрихін Ігор Олександрович ; Національний ун-т "Львівська політехніка". - Л., 2006. - 18 с.: рис.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Національний університет "Львівська політехніка" (Львів)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
14. | РА300774 Птащенко, Федір Олександрович. Просторово- неоднорідні рекомбінаційні процеси і поляризація випромінювання в лазерних гетероструктурах на основі GaAs- AlGaAs [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Птащенко Федір Олександрович ; Одеський держ. ун-т ім. І.І.Мечникова. - Одеса, 1998. - 16 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Одеський державний университет імені І. І. Мечникова
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
15. | РА311644 Лисак, Володимир Валерійович. Вплив нелінійних ефектів підсилення на параметри малосигнального режиму генерації напівпровідникових лазерів [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.05 / Лисак Володимир Валерійович ; Харківський національний ун-т ім. В.Н.Каразіна. - Х., 2000. - 20 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
16. | РА313041 Бондаренко, Дмитро Володимирович. Моделювання динамічних процесів в електроінжекційних напівпровідникових лазерах [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.09.05 / Бондаренко Дмитро Володимирович ; НАН України, Інститут електродинаміки. - К., 2001. - 20 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Національна академія наук України; Інститут електродинаміки (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
17. | РА317477 Сухоіванов, Ігор Олександрович. Динамічні процеси в напівпровідникових лазерах високошвидкісних волоконно-оптичних систем [Текст] : автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.05 / І.О.Сухоіванов ; Харківський національний ун-т ім. В.Н.Каразіна. - Х., 2001. - 32 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
18. | РА328590 Артеменко, Олена Сергіївна. Вплив адсорбції молекул аміаку на поверхневі явища в P-N переходах на основі напівпровідників AIIIBV [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Артеменко Олена Сергіївна ; Одеський національний ун-т ім. І.І.Мечникова. - О., 2004. - 20 с.: рис., табл.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
19. | РА328989 Іванов, Павло Сергійович. Вплив модового складу на робочі характеристики напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.05 / Іванов Павло Сергійович ; Харківський національний ун-т ім. В.Н.Каразіна. - Х., 2004. - 19 с.: рис.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
20. | РА352293 Алексанян, Альберт Гарегинович. Теоретическое исследование некоторых вопросов нелинейной оптики и кинетики квантовых гетероструктур [Текст] : автореф. дис... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / Алексанян Альберт Гарегинович ; НАН Республики Армения, Институт прикладных проблем физики. - Ереван, 2007. - 31 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Институт прикладных проблем физики; НАН Республики Армения; Институт прикладных проблем физики
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| |