 Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox" |
|
|
Пошуковий запит: (<.>U=З854.22<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 12
Представлено документи з 1 до 12
|
1.  |
ДС103237
Герман, Іванна Іванівна.
Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6 [Текст] : дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Герман Іванна Іванівна ; Чернівецький національний ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2007. - 129 арк. - арк. 118-127Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
| | 2. |
ДС101002
 Остапов, Сергій Едуардович.
Багатокомпонентні напівпровідникові тверді розчини АІІВVI та фотоприймачі на їхній основі [Текст] : дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Остапов Сергій Едуардович ; Чернівецький національний ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2007. - 340 арк. - арк. 314-339Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Ю. Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
| | 3. |
РА350538
Остапов, Сергій Едуардович.
Багатокомпонентні напівпровідникові тверді розчини АІІВVI та фотоприймачі на їхній основі [Текст] : автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Остапов Сергій Едуардович ; Чернівецький національний ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2007. - 36 с.: рис.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Ю. Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
| | 4. |
РА362613
Сидор, Оксана Анатоліївна.
Розробка радіаційно-стійких фотодіодів на основі шаруватих структур селенідів індію та галію [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук.: 05.27.01 / Сидор Оксана Анатоліївна ; Чернівецький національний ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2009. - 20 с.Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
| | 5. |
РА352916
Герман, Іванна Іванівна.
Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6 [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Герман Іванна Іванівна ; Чернівецький національний ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2007. - 20 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
| | 6. |
Р92074
О перспективах использования новых кремниевых лавинных фотоприемников с локальной отрицательной обратной связью [Текст] / З. Я. Садыгов [и др.]. - Дубна : [б.и.], 2000. - 8 с.: ил. - (Препр. / Объединенный ин-т ядерных исследований ; р1-2000-194) (Сообщения ОИЯИ). - Библиогр.: с. 7Рубрикатор НБУВ:
Дод. точки доступу:
Садыгов, З. Я.; Воеводин, М. А.; Бокова, Т. Ю.; Пиляр, Н. В.; Сайфулин, М. К.; Объединенный институт ядерных исследований
Видання зберігається у :
| | 7. |
ІР8267
Dąbrowski, Władysław.
Fast neutron damage of silicon pin photodiodes [Text] / Władysław Dąbrowski, Kazimierz Korbel, Andrzej Skoczeń. - Kraków : Inst. fizyki i techniki jądrowej AGH, 1990. - 26 p. : fig., tab. - (Report INT / Instytut fizyki i techniki jądrowej AGH, ISSN 0302-9034 ; 248/PS). - На тит. арк. назва парал. англ., пол., рос. - Рез.: англ., пол., рос. - Текст англ. - Бібліогр.: с. 26. - 176 прим.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Korbel, Kazimierz; Skoczeń, Andrzej
Видання зберігається у :
Основний фонд
| | 8. |
MFI3845/1-2
Biber, Alice Irene.
Avalanche photodiode image sensing in standard silicon BICMOS technology [Text] : diss. / A. I. Biber ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2000. - 155 p.: fig. - (Diss ETH ; 13544)
2 mfisheРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
| | 9. |
ІВ216678
Advances in photodiodes [Text] / ed. by Gian-Franco Dalla Betta. - Rijeka : InTech, 2011. - X, 466 p. : fig., tab. - Бібліогр. в кінці ст. - ISBN 978-953-307-163-3Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Dalla Betta, Gian-Franco (ред.)
Видання зберігається у :
Основний фонд
| | 10. |
РА408545
Леонов, Володимир Олександрович.
Кінетика формування струму в молекулярному фотодіоді [Текст] : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.02 / Леонов Володимир Олександрович ; НАН України, Ін-т теорет. фізики ім. М. М. Боголюбова. - Київ, 2014. - 16 с. : рис.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут теоретичної фізики імені М. М. Боголюбова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
| | 11. |
РА449071
Гуменюк-Сичевська, Жанна Віталіївна.
Оптоелектронні властивості низьковимірних структур на основі вузькощілинних напівпровідників в ІЧ та ТГц діапазонах спектру [Текст] : автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.01 / Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - Київ, 2021. - 44 с. : рис.Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
| | 12. |
ДС138383
Сидор, Оксана Анатоліївна.
Розробка радіаційно-стійких фотодіодів на основі шаруватих структур селенідів індію та галію [Текст] : дис. ... канд. техн. наук. : 05.27.01 / Сидор Оксана Анатоліївна ; Ін-т проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича, Чернівец. від-ня. - Чернівці, 2009. - 189 арк. : рис., табл. - Бібліогр.: арк. 166-189.Рубрикатор НБУВ: УДК:
Дод. точки доступу:
Інститут проблем матеріалознавства імені І. М. Францевича. Чернівецьке відділення
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
|
|
Простий
Розширений
Пам`ятка користувача