Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (2)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=WACHNICKI L.<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
1.

Semikina T. V. 
ZnO as a conductive layer prepared by ALD for solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu1. 8S heterostructure [Електронний ресурс] / T. V. Semikina, S. V. Mamykin, M. Godlewski, G. Luka, R. Pietruszka, K. Kopalko, T. A. Krajewski, S. Gieraltowska, L. Wachnicki, L. N. Shmyryeva // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 2. - С. 111-116. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_2_4
ZnO films with high conductivity are obtained by atomic layer deposition for application in solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu1,8S heterostructure. The parameters of solar cells with ZnO electrode are calculated from light and dark current-voltage characteristics and compared with those obtained for structures with Mo contact. The advantages of ZnO electrode are discussed.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.464 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Krajewski T. A. 
Schottky Junctions with Silver Based on Zinc Oxide Grown by Atomic Layer Deposition [Електронний ресурс] / T. A. Krajewski, G. Luka, L. Wachnicki, M. I. Lukasiewicz, A. J. Zakrzewski, B. S. Witkowski, R. Jakiela, E. Lusakowska, K. Kopalko, B. J., Godlewski M., Guziewicz E. Kowalski // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 1. - С. 224-229. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_1_37
This work reports on the Schottky junctions based on zinc oxide layers (grown by Atomic Layer Deposition from dimethylzinc (Zn(CH3)2) or diethylzinc (Zn(C2H5)2) and water precursors). If the strict electrical requirements (electron concentration not higher than 10<^>17 cm<^>-3 and mobility above 10 cm<^>2 V<^>-1 s<^>-1) for ZnO are fulfilled, the rectification ratio of ZnO/Ag Schottky junction as high as 10<^>3 for low forward bias (2 - 3 V) can be achieved. The ideality factor of about <$E symbol Ы~2,65> was calculated basing on the pure thermionic emission theory.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.601 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського