Наукова періодика України | Ядерна фізика та енергетика | ||
Конорева О. В. Електрофізичні характеристики вихідних та опромінених світлодіодів GаAsP / О. В. Конорева, П. Г. Литовченко, О. І. Радкевич, В. М. Попов, В. П. Тартачник, В. В. Шлапацька // Ядерна фізика та енергетика. - 2019. - Т. 20, № 2. - С. 164-169. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2019_20_2_9 Досліджено світлодіоди, вирощені на основі твердих розчинів GaAsP. За низьких температур T <<= 130 K виявлено ділянки від'ємного диференційного опору. Опромінення електронами (E = 2 МеВ) призводить до зростання диференційного опору діодів, зміни контактної різниці потенціалів та падіння інтенсивності випромінювання. Виявлені ефекти зумовлені впливом глибоких рівнів радіаційних дефектів і поверхневих станів, активізованих високими рівнями іонізаційного збудження, властивого електронному опроміненню. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Конорева О. В. Електрофізичні характеристики вихідних та опромінених світлодіодів GаAsP / О. В. Конорева, П. Г. Литовченко, О. І. Радкевич, В. М. Попов, В. П. Тартачник, В. В. Шлапацька // Ядерна фізика та енергетика. - 2019. - Т. 20, № 2. - С. 164-169. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2019_20_2_9.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |