У температурному діапазоні <$E 80~symbol Ш~400> К досліджено зміну електропровідностей уздовж і впоперек шарів і коефіцієнта Холла для монокристалів n-InSe різного опору після їх опромінення різними дозами високоенергетичних електронів. Виявлені для високоомних зразків за дози 30 кГр немонотонні зміни RH та <$E mu sub {symbol <94> C}> з температурою пояснено на основі 2D-3D моделі електронного газу. Установлено, що за вищих доз значно понижуються рухливість уздовж шарів і вертикальна провідність, а анізотропія провідності та енергетичний бар'єр між шарами істотно зростають. Результати пояснено посиленням ролі 2D електронів після опромінення n-InSe.

  Повний текст PDF - 1.33 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"