Оптимізація режимів формування інжектуючих бар’єрних переходів на основі срібла до арсеніду галію

Дмитрієв, В. С.

Процеси, які відбуваються при взаємодії металів з напівпровідниковими сполуками А3В5, є предметом інтенсивних досліджень, які підтвердили складність процесів, котрі протікають у контактах на межі розподілу фаз. Досліджено умови виготовлення та режими термічної обробки контакту Ag/n-n<^>+GaAs. Визначені: температура підкладки; температура відпалу, час відпалу; швидкість підвищення температури відпалу та охолодження для отримання бар'єрного переходу Ag/n-n<^>+GaAs з висотою бар'єра 0,98 В. Підвищення висоти потенційного бар'єра пов'язане з поліпшенням адгезії плівок, а також початком взаємної дифузії хімічних елементів срібла, галію та миш'яку, що утворюють контакт.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"


	Наукова періодика України		Вісник Вінницького політехнічного інституту