Оптичні властивості структур, отриманих при осадженні мікрочастинок ZnO в електричному полі

Тютюнников, В. І.

Розглянуто спектри фотолюмінесценції (ФЛ) ультрадисперсних кристалів (У) ZnO, осаджених на підкладку в електричному полі. Дрібнодисперсні кристали ZnO одержували шляхом поділу на фракції в колоїдному розчині промислового люмінофора К-56. Колоїдний розчин витримувався в пробірці не менше двох тижнів. Після цього для досліджень використовувалася 1/3 розчину з верхньої частини пробірки. Аналіз мікрофотографії плівки У показує, що розміри кристалів знаходяться в межах 10 - 40 нм. Зразки для дослідження наносилися на підкладку з нержавіючої сталі у вигляді емульсії ZnO водного розчину, потім вода була вилучена шляхом випарювання. Досліджено зразки ZnO, нанесені на підкладку як звичайним способом, так і в електричному полі. Напруженість електричного поля становила 10<^>5 В/м. Спектри ФЛ для вихідного зразка мають досить інтенсивну широку смугу в видимій ділянці, яка при осадженні початкового зразка в електричному полі стає менш інтенсивною. Спектри ФЛ для У ZnO мають слабку інтенсивність смуги в видимій області, а спектри ФЛ для У ZnO, осаджених в електричному полі, практично не мають цієї смуги. При цьому екситонна смуга з <$E lambda sub max~=~401> нм для всіх зразків залишається практично незмінною. Для відповіді на питання про походження спектральної лінії в видимої області, що охоплює діапазон від 401 до 650 нм, зразок початкового ZnO (промислового люмінофора К-56) оброблявся іонами кисню з енергією 3 кВ протягом двадцяти хвилин, після чого інтенсивність смуги ФЛ (Е6) у видимій області значно збільшилася. Після прогріву зразка до 700 К в вакуумі (з подальшим охолодженням до кімнатної температури) спектр ФЛ ZnO приймає первинний вигляд, що говорить про те, що дефекти, відповідальні за лінію у видимій області спектра (довжина хвилі в максимумі <$E lambda sub max~symbol Ы~510~-~540> нм), створюються іонами кисню.


	Наукова періодика України		Вісник Приазовського державного технічного університету