Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects

Prikhodko, D.; Tarelkin, S.; Bormashov, V.; Golovanov, A.; Kuznetsov, M.; Teteruk, D.; Kornilov, N.; Volkov, A.; Buga, A.


	Наукова періодика України		Надтверді матеріали

Prikhodko D.
Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects / D. Prikhodko, S. Tarelkin, V. Bormashov, A. Golovanov, M. Kuznetsov, D. Teteruk, N. Kornilov, A. Volkov, A. Buga // Надтверді матеріали. - 2019. - № 1. - С. 33-41. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sm_2019_1_4

Теплопровідність монокристала, легованого бору (BDD) із вмістом бору ~<$E 2~cdot~10 sup 19~roman см sup -3> (~ 120 ppm) та <$E 5~cdot~10 sup 19~roman см sup -3> (~ 300 ppm), було вивчено прийнятим методом в температурному діапазоні 20 - 400 К. Результати було проаналізовано в рамках моделі Каллавэй. Одержані значення щільності дислокацій добре узгоджуються з експериментальними даними і збігаються зі щільністю яскравих ямок травлення. Їх відмінність передбачає наявність деяких інших пов'язаних з бором дефектів в кристалічній решітці.

Повний текст PDF - 1.008 Mb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Prikhodko D. Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects / D. Prikhodko, S. Tarelkin, V. Bormashov, A. Golovanov, M. Kuznetsov, D. Teteruk, N. Kornilov, A. Volkov, A. Buga // Надтверді матеріали. - 2019. - № 1. - С. 33-41. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sm_2019_1_4.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Кузнецов Михайло Олександрович (технічні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача