В условиях высоких давлений и температур выращены монокристаллы алмаза типа Ib размером до 5 - 6 мм и массой до 2,4 карат. С помощью инфракрасной и оптической микроскопии, а также метода избирательного травления исследованы дефектно-примесный состав и дислокационная структура таких кристаллов. Минимизация температуры выращивания позволила получать кристаллы типа Ib кубического габитуса, в которых находятся дефектные области в форме конуса с диаметром основания 0,2 - 1,8 мм и высотой 0,5 - 2,5 мм. Исследование конусообразных дефектных областей с применением избирательного травления показало, что ямки травления при выходе их на поверхность граней имеют тетрагональную форму, плотность дислокаций в них превышает в 70 - 100 раз плотность дислокаций в кристаллах, выращенных при обычных условиях. Наблюдаемые дефектные области образуются в процессе роста кристаллов алмаза при снижении температуры на ~30 - 35 °C на фронте кристаллизации из-за увеличения теплоотвода в направлении затравочного кристалла.

  Повний текст PDF - 416.884 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"