За допомогою методу вільного спікання одержано композиційні матеріали на основі AlN - SiC. Встановлено, що під час формування структури AlN - SiC - Y₃Al₅O₁₂ алюмо-ітрієвий гранат розміщується по межам зерен SiC і AlN, перешкоджаючи взаємній розчинності AlN - SiC. Визначено, що збільшення кількості SiC від 20 до 50 % (за масою) призводить до зміни параметрів a (від 0,49821 до 0,49837 нм) і c (від 0,5046 до 0,498 нм) кристалічної гратки AlN та до зростання поглинальної здатності композита від 8,8 до 31,4 дБ/см (на частотах 9,5 - 10,5 ГГц).

  Повний текст PDF - 886.581 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"