H2O2 sensor based on MOSFET with active back-gate part of substrate

Kutovа, О.; Dusheykо, М.; Obuhovа, Т.; Maksimchuk, N.; Borodinovа, Т.; Timofeev, V.


	Наукова періодика України		Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Kutovа О.
H2O2 sensor based on MOSFET with active back-gate part of substrate / О. Kutovа, М. Dusheykо, Т. Obuhovа, N. Maksimchuk, Т. Borodinovа, V. Timofeev // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2017. - Т. 14, № 4. - С. 5-12. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2017_14_4_3

Повний текст PDF - 756.956 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Kutovа О. H2O2 sensor based on MOSFET with active back-gate part of substrate / О. Kutovа, М. Dusheykо, Т. Obuhovа, N. Maksimchuk, Т. Borodinovа, V. Timofeev // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2017. - Т. 14, № 4. - С. 5-12. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2017_14_4_3.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Тимофєєв Володимир Іванович (1954–) (технічні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача