Наукова періодика України Сенсорна електроніка і мікросистемні технології


Павлик Б. В. 
Дослідження стабільності параметрів транзисторних термосенсорів під дією рентгенівського опромінення та магнітного поля / Б. В. Павлик, А. М. Леновенко, А. С. Грипа // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2013. - Т. 10, № 2. - С. 94-101. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2013_10_2_12
Надано параметри, яким повинні відповідати кремнієві транзистори, придатні для використання в термометрії. Досліджено вплив рентгенівського опромінення (X-променів) і слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі p - n-переходу транзистора 2Т363А. З аналізу змін вольтамперних (ВАХ) і вольтфарадних характеристик показано, що на початковій стадії рентгенівського опромінення спостерігається збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду та незначне зменшення величини прямого струму ВАХ, що можна пояснити ефектом руйнування метастабільних структурних дефектів бази транзистора. Зовнішнє магнітне поле (B = 0,17 Тл) практично не змінює ефективності рекомбінаційних процесів в ОПЗ, але проявляє вплив на дифузійну компоненту прямого струму через p - n-перехід. Дія рентгенівських променів (D << 325 Гр) і магнітних полів (експозиція до 15 год) практично не змінила вольттемпературні характеристики, з чого можна зробити висновок про стабільність робочих характеристик за вищезгаданих умов.Неведено параметри, яким повинні відповідати кремнієві транзистори, придатні для використання в термометрії. Досліджено вплив рентгенівського опромінення (Х-променів) та слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі p - n-переходу транзистора 2Т363А. З аналізу змін вольтамперних (ВАХ) та вольтфарадних характеристик показано, що на початковій стадії рентгенівського опромінення спостерігається збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду і незначне зменшення величини прямого струму ВАХ, що можна пояснити ефектом руйнування метастабільних структурних дефектів бази транзистора. Зовнішнє магнітне поле (В = 0,17 Тл) практично не змінює ефективності рекомбінаційних процесів в ОПЗ, але впливає на дифузійну компоненту прямого струму через p - n-перехід. Дія рентгенівських променів (D << 325 Гр) і магнітних полів (експозиція до 15 годин) практично не змінила вольт-температурні характеристики, з чого можна зробити висновок про стабільність робочих характеристик за вищезгаданих умов.
  Повний текст PDF - 683.189 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Павлик Б.
  • Леновенко А.
  • Грипа А.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Павлик Б. В. Дослідження стабільності параметрів транзисторних термосенсорів під дією рентгенівського опромінення та магнітного поля / Б. В. Павлик, А. М. Леновенко, А. С. Грипа // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2013. - Т. 10, № 2. - С. 94-101. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2013_10_2_12.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського