Предложен новый метод определения функциональной пригодности кристаллов CdZnTe для применения в радиоэлектронной аппаратуре на основе метода сканирующей фотодиэлектрической спектроскопии. Критериями для определения функциональной пригодности кристалла выбраны времена жизни носителей заряда, которые рассчитываются на основе информации о дефектно-примесной структуре кристалла. Эта информация получена применением метода сканирующей фотодиэлектрической спектроскопии. Приведены результаты в виде графических зависимостей и таблиц. Выполнен анализ полученных данных. Показано, что эти данные согласуются с данными, полученными ранее с помощью других методов.

  Повний текст PDF - 401.411 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"