Наукова періодика України Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties

Pozdnyakov D. V. 
Influence of Impact Ionization Process on Current-Voltage Characteristics of Nanoscale Silicon n-Channel MOSFET / D. V. Pozdnyakov, A. V. Borzdov, V. M. Borzdov, F. F. Komarov // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2013. - Vol. 2, no. 4. - С. 04NAESP10-04NAESP10. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2013_2_4_12
  Повний текст PDF - 233.782 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Pozdnyakov D.
  • Borzdov A.
  • Borzdov V.
  • Komarov F.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Pozdnyakov D. V. Influence of Impact Ionization Process on Current-Voltage Characteristics of Nanoscale Silicon n-Channel MOSFET / D. V. Pozdnyakov, A. V. Borzdov, V. M. Borzdov, F. F. Komarov // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2013. - Vol. 2, no. 4. - С. 04NAESP10-04NAESP10. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2013_2_4_12.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського