Enhanced Luminescence of InGaN/GaN Vertical Light Emitting Diodes with an InGaN Protection Layer

Lim, H.; Doan, M. H.; Rotermund, F.; Lee, J. J.


	Наукова періодика України		Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties

Lim H.
Enhanced Luminescence of InGaN/GaN Vertical Light Emitting Diodes with an InGaN Protection Layer / H. Lim, M. H. Doan, F. Rotermund, J. J. Lee // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2013. - Vol. 2, no. 1. - С. 01NTF29-01NTF29. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2013_2_1_31

Повний текст PDF - 468.737 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Lim H. Enhanced Luminescence of InGaN/GaN Vertical Light Emitting Diodes with an InGaN Protection Layer / H. Lim, M. H. Doan, F. Rotermund, J. J. Lee // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2013. - Vol. 2, no. 1. - С. 01NTF29-01NTF29. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2013_2_1_31.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача