Absorption Cross Section and Photoluminescence Lifetime of Silicon-Based Light-Emitting nc-Si-SiOx Structures

Dan'ko, V. A.; Shepeliavyi, P. E.; Michailovska, K. V.; Indutnyi, I. Z.


	Наукова періодика України		Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties

Dan'ko V. A.
Absorption Cross Section and Photoluminescence Lifetime of Silicon-Based Light-Emitting nc-Si-SiOx Structures / V. A. Dan'ko, P. E. Shepeliavyi, K. V. Michailovska, I. Z. Indutnyi // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2012. - Vol. 1, no. 3. - С. 03TF13-03TF13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2012_1_3_15

Повний текст PDF - 253.897 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Dan'ko V. A. Absorption Cross Section and Photoluminescence Lifetime of Silicon-Based Light-Emitting nc-Si-SiOx Structures / V. A. Dan'ko, P. E. Shepeliavyi, K. V. Michailovska, I. Z. Indutnyi // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2012. - Vol. 1, no. 3. - С. 03TF13-03TF13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2012_1_3_15.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача