Наукова періодика України | Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка | ||
Велещук В. П. Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд) / В. П. Велещук, О. І. Власенко, З. К. Власенко, Д. М. Хміль, О. М. Камуз, В. В. Борщ // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2016. - Вып. 51. - С. 31-42. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2016_51_5 Узагальнено матеріал з дослідження мікроплазмового контрольованого пробою в InGaN/GaN гетероструктурах світлодіодів і в різноманітних GaN, GaAs, GaP, SiC, Si, ZnO структурах. Установлено, що характеристики мікроплазм світлодіодних структур прямо пов'язані з їх функціональними параметрами. Показано, що за люмінесцентними та електричними характеристиками мікроплазм можливі експресний неруйнівний контроль і діагностика InGaN/GaN потужних світлодіодів. Досліджено спектри електролюмінесценції мікроплазм і встановлено джерела мікроплазм у InGaN/GaN гетероструктурах. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Велещук В. П. Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд) / В. П. Велещук, О. І. Власенко, З. К. Власенко, Д. М. Хміль, О. М. Камуз, В. В. Борщ // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2016. - Вып. 51. - С. 31-42. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2016_51_5.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |