Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge

Баранський, П. І.; Гайдар, Г. П.

Баранський П. І.
Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2016. - Вып. 51. - С. 128-134. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2016_51_13

У кристалах n-Ge за 77 К за умов <$E X Vec || J Vec || H Vec || [111]> досліджено поздовжній магнітотензоопір залежно від величини напруженості магнітного поля H за різних значень механічного напруження одновісного стиску X, а також поздовжній тензомагнітоопір залежно від X за різних значень H. Запропоновано важливий для практики метод визначення тензомагнітоопору за умов гранично великих H і X за вимірюваннями лише тензоопору (тобто за H = 0) в широкому інтервалі X.

Повний текст PDF - 250.676 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Баранський П.

Гайдар Г.

Бібліографічний опис для цитування:

Баранський П. І. Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2016. - Вып. 51. - С. 128-134. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2016_51_13.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача


	Наукова періодика України		Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка