Наукова періодика України | Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка | ||
Баранський П. І. Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2016. - Вып. 51. - С. 128-134. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2016_51_13 У кристалах n-Ge за 77 К за умов <$E X Vec || J Vec || H Vec || [111]> досліджено поздовжній магнітотензоопір залежно від величини напруженості магнітного поля H за різних значень механічного напруження одновісного стиску X, а також поздовжній тензомагнітоопір залежно від X за різних значень H. Запропоновано важливий для практики метод визначення тензомагнітоопору за умов гранично великих H і X за вимірюваннями лише тензоопору (тобто за H = 0) в широкому інтервалі X. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Баранський П. І. Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2016. - Вып. 51. - С. 128-134. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2016_51_13. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |