При 77,4 К на зразках n-Si(P), орієнтованих уздовж кристалографічного напрямку [100], досліджено зміни питомого опору <$E rho sub x "/" rho sub 0> залежно від одновісного механічного стиску, що змінювався у межах <$E 0~symbol Г~X~symbol Г~0,8> ГПа. Зразки перед вимірюваннями тензоопору відпалювалися перший раз при 450 <$E symbol Р>C, а другий раз - при 650 <$E symbol Р>C протягом різних проміжків часу (в інтервалі <$E 0~symbol Г~t~symbol Г~45> год). Досліджено також зміни рухливості носіїв заряду <$E mu> та параметра анізотропії рухливості <$E К~=~mu sub symbol <94> "/" mu sub ||> у монокристалах n-Si(P) залежно від часу їх термовідпалу (в межах <$E 0~symbo Г~t~symbol Г~10> год) при двох фіксованих значеннях температури відпалу (450 і 650 <$E symbol Р>C).

  Повний текст PDF - 506.226 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"