Розглянуто фізичні чинники, що забезпечують появу анізотропії термоерс <$E DELTA alpha~=~alpha sub ||~-~alpha sub symbol <94>> у багатодолинних напівпровідниках за умов направленої пружної деформації (при X || J || [111] в n-Ge і X || J || [100] в n-Si), а також зв'язки, які існують між параметрами анізотропії термоерс <$E М~=~alpha sub || sup roman ф "/" alpha sub symbol <94> sup roman ф> і анізотропії рухливості <$E K~=~mu symbol <94> "/" mu sub ||>. Показано, як вказані параметри, що характеризують анізотропію відповідних величин, можна одержати з вимірів величин на макрорівні (тобто з вимірів питомого опору <$E rho sub 0> і <$E rho sub inf>, а також термоЕРС <$E alpha sub 0> і <$E alpha sub inf>) у багатодолинних недеформованих і направлено-деформованих (у разі механічного навантаження <$E X~symbol О~inf>) напівпровідниках. Проведено зіставлення параметрів К і М, виміряних на монокристалах n-Si, легованих домішкою фосфору через розплав та шляхом ядерної трансмутації, що виникає при опроміненні кристалів кремнію тепловими нейтронами.

  Повний текст PDF - 241.962 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"