Наукова періодика України Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка


Оліх Я. М. 
Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації / Я. М. Оліх // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2013. - Вып. 48. - С. 113-120. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2013_48_12
Коротко проаналізовано основні механізми дії акустичної хвилі (АХ) при іонній імплантації на перерозподіл домішок і дефектну структуру напівпровідникового кристала. На експериментальних прикладах показано, що здебільшого дія АХ не виявляється в процесі імплантації, а є відкладеною. Роль АХ в окремих експериментальних умовах є особливою, інтелектуальною, і зводиться до інформаційної модуляції процесів релаксації енергетично збудженої нерівноважної структури дефектів та утворення просторово-динамічної матриці об'єму, яка може запам'ятовуватися. Запропоновано доповнити традиційні механізми дії АХ на процеси релаксації структури дефектів кристала інформаційним з урахуванням реалізації дисипативного резонансу в системі домішково-дефектної структури, механізм якого забезпечує не тільки накопичення зовнішнього акустичного збурення з часом, а й стимулює просторову самоорганізацію точкових дефектів напівпровідникового кристала.
  Повний текст PDF - 173.875 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Оліх Я.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Оліх Я. М. Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації / Я. М. Оліх // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2013. - Вып. 48. - С. 113-120. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2013_48_12.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського