Наукова періодика України | Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка | ||
Асніс Ю. А. Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю. А. Асніс, П. І. Баранський, В. М. Бабич, Н. В. Піскун, І. І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 57-61. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2011_46_8 Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (Р) і фонової (О) домішок в монокристалах Si, одержаних за допомогою методу електронно-променевої безтигельної зонної плавки. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Асніс Ю. А. Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю. А. Асніс, П. І. Баранський, В. М. Бабич, Н. В. Піскун, І. І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 57-61. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2011_46_8.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |