Наукова періодика України Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка

Асніс Ю. А. 
Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю. А. Асніс, П. І. Баранський, В. М. Бабич, Н. В. Піскун, І. І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 57-61. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2011_46_8
Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (Р) і фонової (О) домішок в монокристалах Si, одержаних за допомогою методу електронно-променевої безтигельної зонної плавки.
  Повний текст PDF - 176.077 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Асніс Ю.
  • Баранський П.
  • Бабич В.
  • Піскун Н.
  • Статкевич І.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Асніс Ю. А. Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю. А. Асніс, П. І. Баранський, В. М. Бабич, Н. В. Піскун, І. І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 57-61. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2011_46_8.
    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Піскун Наталія Василівна (технічні науки)
  • Статкевич Ігор Іванович (технічні науки)
    •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського