Наукова періодика України Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка

Венгер Е. Ф. 
Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами / Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева, П. Л. Нелюба // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 43-48. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2011_46_6
Исследованы радиационно-стимулированные процессы в гетероструктурах C60/Si, GeOx/C60/Si и C60/сплав ВТ6, которые происходят под влиянием <$E gamma>-облучения <^>60Co. Пленки толщиной 0,1 - 2 мкм осаждались на неподогретые подложки из порошка C60 вакуумной сублимацией. Выявлены радиационно-стимулированные изменения оптических и механических свойств гетеросистем при изменении дозы облучения от 10<^>6 до <$E 4~cdot~10 sup 8> Р. Установлено, что они определяются развалом молекул C60 и появлением новых углеродных фаз (графито- или алмазоподобной). Показана возможность уменьшения внутренних механических напряжений, повышения износостойкости и радиационной стойкости гетероструктур с фуллеренами.
  Повний текст PDF - 150.424 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Венгер Е.
  • Матвеева Л.
  • Нелюба П.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Венгер Е. Ф. Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами / Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева, П. Л. Нелюба // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 43-48. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2011_46_6.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського