Наукова періодика України | Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка | ||
Круковський С. І. Властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів / С. І. Круковський, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, І. О. Мрихін, Ю. С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 74-80. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2011_46_11 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Круковський С. І. Властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів / С. І. Круковський, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, І. О. Мрихін, Ю. С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 74-80. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2011_46_11.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |