Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів

Сукач, А. В.; Тетьоркін, В. В.; Мазарчук, І. О.; Кролевець, М. М.; Лук’яненко, В. І.; Луцишин, І. Г.

Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p - n-переходів, виготовлених за допомогою дифузійного методу. З'ясовано, що внаслідок використання протравлювача 2 % Br2 + HBr для виготовлення мезаструктур в p - n-переходах виникає поверхнева шунтуюча провідність. Повторна хімічна обробка мезаструктур у протравлювачі на основі азотної кислоти суттєво зменшує темнові струми та вплив шунтуючої провідності на вольтамперні характеристики переходів. Показано, що темновий струм в p - n-переходах після повторної хімічної обробки мезаструктур в інтервалі температур 160 - 298 К зумовлений процесами генерації та рекомбінації носіїв в області просторового заряду, а за температур менших ніж 160 К - тунелюванням за участю дислокацій.


	Наукова періодика України		Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка